ЭЛЕКТРОННОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ C ПАМЯТЬЮ В CDTE

Электронное переключение c памятью в CdTe

Даулетмуратов Б.К, Бекбергенов С.Е., Тагаев М.Б., Камалов А.Б., Аметов Б.Т., Жаксымуратов Р.К., Кайпназаров С.К.

Каракалпакский государственный университет им. Бердаха,

e-mail: [e-mail]

В работе исследовано влияние наносекундного излучения рубинового лазера на электрические и фотоэлектрические характеристики кристаллов CdTe. Показано, что появление слоя Te при облучении CdTe приводит к образованию бистабильной структуры Te-CdTe со свойством многократного электронного переключения с высокоомного в низкоомное состояние с памятью. Наличие переключения при азотной температуре указывает на электронный механизм явления.

Известно, что механизм переключения в аморфных и поликристаллических пленках в зависимости от электрофизических свойств материала и условий воздействия имеет электронную или тепловую природу; но в большинстве случаев в основе явления переключения лежит электронно–тепловой механизм. В нашем случае наличие переключения при Т = 77 К указывает именно электронный механизм.

Низкоомное состояние во всех структурах сохраняется в течение нескольких месяцев при нулевом смещении и может быть всегда обратимо в высокоомное состояние при приложении обратного смещения, и таким образом наблюдается эффект энергонезависимой памяти.

Результаты комбинационного рассеяние света показали, что на поверхности CdTe cуществует кристаллическое и аморфное состояние теллура. Поскольку в аморфных полупроводниках наблюдается флуктуация электростатического потенциала, носители заряда, пока дойдут в контакты, вынуждены огибать барьеры, созданные за счет большого разброса дна зоны проводимости неупорядоченных атомов через отдельные каналы проводимости, из-за чего структура становиться высокоомной. При приложении напряжения прямого смещения потенциальные ямы в запрещенной зоне наклоняются, вследствие чего за счет уменьшения высоты потенциала концентрация носителей скачкообразно увеличиться. А горбы потенциала заполняются электронной плазмой, после чего свободные носители движутся по всему сечению, а не по отдельному каналу и поэтому структура становится низкоомной. Низкоомное состояние после снятия напряжения сохраняется за счет того, что в аморфном состоянии теллура есть ионы, у которых внешние электроны сорваны приложенным полем. Высокоомное состояние при обратном смещении объясняется тем, что поскольку барьер имеет полярность, при обратном смещении высота барьера увеличивается, вследствие чего структура становится высокоомной. Высокоомное состояние после снятия напряжения указывает, что ионы теллура нейтрализуются.

33