Добавить материал и получить бесплатное свидетельство о публикации в СМИ
Эл. №ФС77-60625 от 20.01.2015
Инфоурок / Физика / Презентации / Биполярлы транзисторларБиполярлы транзисторлардың құрылымы мен әрекет ұстанымы
ВНИМАНИЮ ВСЕХ УЧИТЕЛЕЙ: согласно Федеральному закону № 313-ФЗ все педагоги должны пройти обучение навыкам оказания первой помощи.

Дистанционный курс "Оказание первой помощи детям и взрослым" от проекта "Инфоурок" даёт Вам возможность привести свои знания в соответствие с требованиями закона и получить удостоверение о повышении квалификации установленного образца (180 часов). Начало обучения новой группы: 24 мая.

Подать заявку на курс
  • Физика

Биполярлы транзисторларБиполярлы транзисторлардың құрылымы мен әрекет ұстанымы

Выберите документ из архива для просмотра:

Выбранный для просмотра документ Биполярлы транзисторлар..pptx

библиотека
материалов
Өткізу жолдары әр түрлі n-р-n-транзисторлары мен р-n-р-транзисторын анықтайды...
Биполярлы транзистордың динамикалық сипаттамалары. Транзистордың динамикалық...
Сурет 4.1 n-p-n-транзисторының құрылғсы(а), оның схематикалық бейнесі (б) жән...
Бұл сызбанұсқаға Н-шамалардағы транзистордың теңдеуі деп аталатын теңдеу сәй...
Қаралып жатқан құрылымдардың ортаңғы бөлігі база деп, бір шеткі бөлігі –колле...
Биполярлы транзистордың физикалық моделі Биполярлы транзистордың сызбада көрс...
Транзистодың жұмыс тәртібі сызықты жұмыс тәртібінде эмиттерлі өткел тура бағы...
Транзистордың жұмысы оның өткелдеріне салынған кернеулерге байланысты электр...
(4.1) теңдеуінен эмиттерлі өткелдің тура жылжуынан және шартының орындалуына...
Транзистордың вольтамперлі сипаттамалары 4.2 а суретінде көрсетілген. Бұл си...
Транзистор сипаттамаларының кейбір ерекшеліктері сызықты бөлігінде орналасқа...
Сурет 4.3. Биполярлы транзисторды орын ауыстырудың қарапайым сызбасы (а), кү...
 		 4.4.сурет. биполярлы транзистордың Н-шамадағы орын ауыстыру сызбасы. артқа
Шығу кезінде қысқа тұйықталуда басқа екі шаманы (uкэ=0) табуға болады:...
(4.7) Сызықты режимнен қанықтыру режиміне өту үшін ток базасын коллектордегі...
Транзисторды тереңірек қанықтыру кезінде uкб>0 шарты орындалады. Қанықтыру р...
Транзисторды қанықтыру кезінде базаға транзисторды сөндіруді тежейтін негізг...
Биполярлы транзистордың басқа кілтті режимі-кесінгіштік режим болып табылады...
Осылай, транзистордың екі кілтті режимі- қанықтыру және кесінгіштік режимдер...
Сурет 4.5 Қанықтыру (а) және кесіп тастау (б) режиміндегі транзистор кілтінің...
Транзистор жұмысының соңғы режимі өзгеру деп аталады, бұл кезде коллекторлы...
Сурет 4.6 Транзисторды қосу (а) мен сөндіру (б) кезінде
Транзистор кілтінің сөндіру мен қосу үрдістері 4.6 суретінде көрсетілген. Тр...
Сорылу уақыты транзситорды сөндіру алдында оны қанықтыру дәрежесіне байланыс...
Егер транзистор базасына бекіту үрдісінде кері кернеу салынбаса, (мысалы, баз...
Бұл сызбанұсқа 4.8 а суретінде көрсетілген және транзистордың күшейткіш қаси...
Транзистордың күшейткіш қасиеттеріне әсер ететін жиілікті есептеу әдісінің ба...
Егер болса, онда ток базаларының жіберілу коэффициентінің жиілікті байланысы...
33 1

Описание презентации по отдельным слайдам:

№ слайда 1 Өткізу жолдары әр түрлі n-р-n-транзисторлары мен р-n-р-транзисторын анықтайды
Описание слайда:

Өткізу жолдары әр түрлі n-р-n-транзисторлары мен р-n-р-транзисторын анықтайды. Жазық n-p-n-транзисторының жеңілдетілген құрылығысы 4.1 а, суретінде көрсетілген, оның шарты белгісі—4.1 б суретінде, ал оны ауыстыру сызба нұсқасы — 4.1 в суретінде бейнеленген. p-n-p-транзисторының аналогты ұстанымы 4.1 г, д, е суретінде көрсетілген.

№ слайда 2 Биполярлы транзистордың динамикалық сипаттамалары. Транзистордың динамикалық
Описание слайда:

Биполярлы транзистордың динамикалық сипаттамалары. Транзистордың динамикалық сипаттамасы оның сызықты және кілтті режимдегі іс-әрекетін әр түрлі сипаттайды. Кілтті режим үшін транзисторды бір күйден екінші күйге ауысу уақыты өте маңызды. Сол сияқты күшейткіш режим үшін транзистордың әр түрлі жиіліктегі сигналдарды арттыру мүмкіндігін көрсететін қасиеттері маңыздырақ.

№ слайда 3 Сурет 4.1 n-p-n-транзисторының құрылғсы(а), оның схематикалық бейнесі (б) жән
Описание слайда:

Сурет 4.1 n-p-n-транзисторының құрылғсы(а), оның схематикалық бейнесі (б) және орын ауыстыру сызбасы (а). n-p-n-транзисторының құрылғсы(г), оның схематикалық бейнесі (д) және орын ауыстыру сызбасы (е). артқа Транзистодың жұмыс тәртібі

№ слайда 4 Бұл сызбанұсқаға Н-шамалардағы транзистордың теңдеуі деп аталатын теңдеу сәй
Описание слайда:

Бұл сызбанұсқаға Н-шамалардағы транзистордың теңдеуі деп аталатын теңдеу сәйкес келеді: теңдеулер жүйесінде көрсетілген шамалардың физикалық мағынасын сызбаға бөлек енгізу мен оның шығуында қысқа тұйықталу режимін қолдану арқылы оңай анықтауға болады. Бөлек енгізу кезінде Iб=0, бұл жерден екі шаманы табамыз.(4.5). (4.4)

№ слайда 5 Қаралып жатқан құрылымдардың ортаңғы бөлігі база деп, бір шеткі бөлігі –колле
Описание слайда:

Қаралып жатқан құрылымдардың ортаңғы бөлігі база деп, бір шеткі бөлігі –коллектор, ал басқа бөлігі -эмиттер деп аталады. Симметриялы емес құрылымдарда электродтың базасы эмиттерге жақын орналасады, ал базаның ені транзистордың жиілікті диапазонына байланысты және жиіліктің өсуіне байланысты азаяды.Транзистордың электродтарына салынған полярлы кернеулерге байланысты оның келесідей жұмыс тәртібін айқындайды: сызықты (күшейткіш), қанықтыру, кесілген және өзгерту.

№ слайда 6 Биполярлы транзистордың физикалық моделі Биполярлы транзистордың сызбада көрс
Описание слайда:

Биполярлы транзистордың физикалық моделі Биполярлы транзистордың сызбада көрсетілуі Биполярлы транзистордың ортақ түрі меню артқа

№ слайда 7 Транзистодың жұмыс тәртібі сызықты жұмыс тәртібінде эмиттерлі өткел тура бағы
Описание слайда:

Транзистодың жұмыс тәртібі сызықты жұмыс тәртібінде эмиттерлі өткел тура бағытқа жылжытылған, ал коллекторлы-кері бағытта. қанығу жұмыс тәртібінде екі өткелде тура бағытқа жылжытылған, кесілген тәртіпте –кері бағытта. өзгерту тәртібінде коллекторлы өткел тура бағытқа жылжытылған,ал эмиттерлі-кері бағытта. Қаралған тәртіп түрлерінен басқа да бөлек бір түрі бар, бірақ бұл жұмыс тәртібі емес, ол апаттық- ақау режимі. (4.1 сурет)

№ слайда 8 Транзистордың жұмысы оның өткелдеріне салынған кернеулерге байланысты электр
Описание слайда:

Транзистордың жұмысы оның өткелдеріне салынған кернеулерге байланысты электродтардың токтарын басқаруға негізделген. Сызықты режимде, база-эмиттер өткелі оған салынған кернеуге байланысты ашық болады, ол арқылы Iб ток базасы ағып өтеді. Ток базасының ағып өтуі база бөлігінен коллектор бөлігіне зарядтардың ығысуына әсер етеді, коллектор тогы былай анықталады, мұндағы В-ток базасының коэффициенті. Эмиттерлі өткелдегі тура кернеу Uбэ Эберса — Мола теңдеуіндегі коллектор тогымен байланысты (4.1) Мұнда Iкб.о — коллектор өткелінің кері тогы,  т —жылулық шама.

№ слайда 9 (4.1) теңдеуінен эмиттерлі өткелдің тура жылжуынан және шартының орындалуына
Описание слайда:

(4.1) теңдеуінен эмиттерлі өткелдің тура жылжуынан және шартының орындалуынан коллектор тогы Uбэ кернеумен бірге экпоненциалды заң бойынша өсетінін байқауға болады: мұнда — шамалардың іргелес айырымы. Эмиттерлі өткелдегі кернеудің кереғарлығын өзгерткенде транзистор бұзылу режиміне көшеді және коллектор тогы коллекторы өткелдің кері тогына тең. (4.1) теңдеуінен эмиттерлі өткелдегі кернеуді табу оңай: (4.3)

№ слайда 10 Транзистордың вольтамперлі сипаттамалары 4.2 а суретінде көрсетілген. Бұл си
Описание слайда:

Транзистордың вольтамперлі сипаттамалары 4.2 а суретінде көрсетілген. Бұл сипаттамаларда сызықты бөлік шртихті сызықпен белгіленген. Егер де коллектордегі кернеу барынша үлкен және штрихті сызықтың шегінен шықса, онда транзистор сызықты бөлікте орналасады. Сурет 4.2 Биполярлы транзистордың шығу(а) және кіру (б)жолдарының сипаттамалары

№ слайда 11 Транзистор сипаттамаларының кейбір ерекшеліктері сызықты бөлігінде орналасқа
Описание слайда:

Транзистор сипаттамаларының кейбір ерекшеліктері сызықты бөлігінде орналасқан. Біріншіден, коллектор тогының өсуі ток базасының өзгеруіне пропорционалды. Екіншіден, коллектор тогы коллектрдегі кернеуге тәуелсіз.(4.1 теңдеуіне сәйкес, бұндай тәуелділік мүлдем жоқ). Үшіншіден, базадағы кернеу коллектордағы кернеуге мүлдем тәуелді емес және ток базасынан да тәуелсіз. Сонымен, сызықты режимде ток базаларының кішкене өсулері үшін транзисторды ток базасымен басқарылатын коллектор тогымен алмастыруға болады. База мен эмиттер арасына түсетін кернеуді ескерілмесе, онда бұл кезеңді қысқа тұйықталу деп атайды. Сызықты режим үшін транзистордың қарапайым үлгісін қолдануға болады, ол 4.3 а суретінде келтірілген.

№ слайда 12 Сурет 4.3. Биполярлы транзисторды орын ауыстырудың қарапайым сызбасы (а), кү
Описание слайда:

Сурет 4.3. Биполярлы транзисторды орын ауыстырудың қарапайым сызбасы (а), күшейткіш каскадтың сызбасы (б) және есепті сызба (в) артқа

№ слайда 13  		 4.4.сурет. биполярлы транзистордың Н-шамадағы орын ауыстыру сызбасы. артқа
Описание слайда:

4.4.сурет. биполярлы транзистордың Н-шамадағы орын ауыстыру сызбасы. артқа

№ слайда 14 Шығу кезінде қысқа тұйықталуда басқа екі шаманы (uкэ=0) табуға болады:
Описание слайда:

Шығу кезінде қысқа тұйықталуда басқа екі шаманы (uкэ=0) табуға болады: (4.6) Бөлек енгізу кезінде шамалар (4.5) теңдеуімен сәйкесінше былай белгіленеді: Н12 — бағыты бойынша кері жіберу және Н22 — шығатын бөлік. Қысқа тұйықталу шамалары (4.6) –мен анықталады және мына мәнге ие: Н11 — кіретін кедергілер , Н21 — ток бойынша тікелей жіберу.Алынған транзистор шамаларының жүйесі 4.3 а суретінде көрсетілген орын басу сызбанұсқасына сәйкестендірілген. Н11 =Н12=Н22=0 болса, онда 4.4 суретіндегі сызбанұсқа орнына 4.3 а суретіндегі сызбанұсқаны аламыз, В=Н21.

№ слайда 15 (4.7) Сызықты режимнен қанықтыру режиміне өту үшін ток базасын коллектордегі
Описание слайда:

(4.7) Сызықты режимнен қанықтыру режиміне өту үшін ток базасын коллектордегі кернеудің мәнін коллекторлі өткелде ашылуы болғанға шейін өсіру керек.Бұндай жағдай 4.3 б сызбасында коллекторлі тізбекте Rн кернеуі қосылғанда болуы мүмкін. Бұл жағдайда Iб ток базасының өсуі коллектор тогының Iк өсуіне алып келеді. Нәтижесінде, Rн жүктемесі үшін кернеудің түсуі артады және uкэ коллекторінде түсетін кернеу азаяды. Транзисторды қанықтырудың негізгі шарты кернеудің нолге теңдігі : (4.7)

№ слайда 16 Транзисторды тереңірек қанықтыру кезінде uкб>0 шарты орындалады. Қанықтыру р
Описание слайда:

Транзисторды тереңірек қанықтыру кезінде uкб>0 шарты орындалады. Қанықтыру режимінде базада шығынды ток ағып шығады, яғни транзистордың сызықты режимде жұмысы кезінде коллектор тогын алу үшін керек мәнді ток базасы нормасынан асырады. uкб=0 шартының орындалуын әдетте шекті режим деп атайды, өйткені ол транзистордың сызықты режимнен қанықтыру режиміне өтуін сипаттайды. Транзисторды қанықтырудың маңыздылығын қанықтыру коэффициентімен сипатталады. (4.8)

№ слайда 17 Транзисторды қанықтыру кезінде базаға транзисторды сөндіруді тежейтін негізг
Описание слайда:

Транзисторды қанықтыру кезінде базаға транзисторды сөндіруді тежейтін негізгі емес көптеген тасымалдаушылар жинақталады. Қанықтыру режимінде коллектор мен эмиттер арасындағы кернеу біршама аз болғандықтан, онда бұл режимде транзисторды үлкен кернеу түсетін тұйық кілтпен алмастыруға болады.Қанықтыру режиміндегі транзистордың орын басу сызбасы 4.5 а суретінде көрсетілген. Бұл сызбаға сәйкес кернеу мына формуламен анықталады: мұнда қанықтырылған кілттің кедергісі, Еп = 0,5...0,1В. Анықтамалық деректерде транзисторларға берліген коллектор тогы үшін мәні беріледі. Қанықтырылған кілттің кедергісі Еп = 0,5...0,1В. Анықтамалық деректерде транзисторларға берліген коллектор тогы үшін мәні беріледі. (4.9)

№ слайда 18 Биполярлы транзистордың басқа кілтті режимі-кесінгіштік режим болып табылады
Описание слайда:

Биполярлы транзистордың басқа кілтті режимі-кесінгіштік режим болып табылады. Транзисторды кесінгіштік режимге база мен эмиттер арасындағы қосымша кері кернеу көмегімен ауыстыруға болады. Бұл жағдайда шекті режим uбэ=0 шартын орындау. Транзисторды кесінгіштік режимде орын басу сызбанұсқасы 4.5б суретінде келтірілген тұйық кілтпен алмастыруға болады. Осы сызбанұсқаға сәйкес транзистор кесінгіштік режимде үлкен кедергіге R0 және оған параллель қосылған генераторға . ие. 4.2а суретінде келтірілген кесінгіштік режимі үшін I=0 кезінде көлденең сызық сәйкес. Анықтамалық деректерде транзистордың кесінгіштік режимінде кері ток ол –коллектор мен эмиттер , база мен эмиттер арсына қосылған коллекторге берілген кернеу мен кедергі R.

№ слайда 19 Осылай, транзистордың екі кілтті режимі- қанықтыру және кесінгіштік режимдер
Описание слайда:

Осылай, транзистордың екі кілтті режимі- қанықтыру және кесінгіштік режимдер- транзисторды жабық және ашық кілт ретінде қолдануға мүмкіндік береді S. Орын басу (сурет 4.5) сызбанұсқасындағы басқа шамалар транзистор кілтінің кемшіліктеріне сәйкес. Транзисторлы кілттер әр түрлі электронды құрылғыларда кең қолданылады: сигналдарды коммутациялау кезіндегі өлшеулер жүргізу үшін, жиіліктерді түрлендіргіштер және т.б. Осы түрлендірулердің барлығында транзистор кезек-кезек қанықтыру режимінен кесінгіштік режиміне өтеді.

№ слайда 20 Сурет 4.5 Қанықтыру (а) және кесіп тастау (б) режиміндегі транзистор кілтінің
Описание слайда:

Сурет 4.5 Қанықтыру (а) және кесіп тастау (б) режиміндегі транзистор кілтінің орын ауыстыру сызбасы

№ слайда 21 Транзистор жұмысының соңғы режимі өзгеру деп аталады, бұл кезде коллекторлы
Описание слайда:

Транзистор жұмысының соңғы режимі өзгеру деп аталады, бұл кезде коллекторлы өткел тура бағытпен араласады, ал эмиттерлі кері бағытпен. Бұл режимде коллкетор мен эмиттер орындарымен ауысады және коллектор ролін эмиттер атқарады. Егер транзистор симметриялы емес болса, онда өзгеру режимінде транзистордың күшейткіш қасиеті төмендейді. Бұл жағдайда транзистор симметриялы болып өзгереді және оның күшейтілуі коллектор мен эмиттерді ауыстыру кезінде мүлдем өзгермейді. Осындай транзисторларда коллектор мен эмиттер бірдей қасиетке және геометриялық өлшемдерге ие, сондықтан олардың кез келгені эмиттер немесе коллектор сияқты жұмыс істей алады. Симметриялы транзисторлар үшін өзгеру режимі мен сызықты режиміндегі сипаттамалары ұқсас. меню

№ слайда 22 Сурет 4.6 Транзисторды қосу (а) мен сөндіру (б) кезінде
Описание слайда:

Сурет 4.6 Транзисторды қосу (а) мен сөндіру (б) кезінде

№ слайда 23 Транзистор кілтінің сөндіру мен қосу үрдістері 4.6 суретінде көрсетілген. Тр
Описание слайда:

Транзистор кілтінің сөндіру мен қосу үрдістері 4.6 суретінде көрсетілген. Транзисторды қосу кезінде (сурет 4.6а) оның базасына токтың тіктөртбұрышты импульсі беріледі. Коллектордың тогы тұрақты орнатылған мәнді базаға токты жібергеннен кейін бірден алмайды. аздаған кідіру уақытынан кейін коллекторда ток пайда болады. Сосын коллектордағы ток бірте-бірте артады және уақытынан кейін тұрақты орнатылған мәнге ие болады мұнда, транзисторды қосу уақыты. Транзисторды сөндіру кезінде оның базасына кері кернеу жіберіледі, соның нәтижесінде ток базасы өзінің бағытын өзгертеді және тең болады. Базада жанама заряд тасушылардың сорылу үрдісі жүріп жатқан кезде, бұл ток өзінің мәнін өзгертпейді. Бұл кез сорылу уақыты деп аталады . Сорылу үрдісі аяқталған кезде ток базасы азаяды, және ол уақытына шейін жалғасады. (4.10) -

№ слайда 24 Сорылу уақыты транзситорды сөндіру алдында оны қанықтыру дәрежесіне байланыс
Описание слайда:

Сорылу уақыты транзситорды сөндіру алдында оны қанықтыру дәрежесіне байланысты. Сөндірудің ең төменгі уақыты қанықтырудың шекті мөлшерінде болады. Сорылу үрдісін жылдамдату үшін базаға базадағы кері кернеуге тәуелді болатын кері токты жібереді. Бірақ та базаға үлкен кері кернеуді салуға болмайды, өйткені база-эмиттер өткелінде ақау болуы мүмкін. Ең үлкен кері кернеу әдетте 5...7В-тан аспайды.

№ слайда 25 Егер транзистор базасына бекіту үрдісінде кері кернеу салынбаса, (мысалы, баз
Описание слайда:

Егер транзистор базасына бекіту үрдісінде кері кернеу салынбаса, (мысалы, база эмиттерге тұйықталса) онда транзистордың бұндай бекітілуі бейтарап деп аталады. Бейтарап бекітілу кезінде сорылу уақыты біршама көбейеді, ал кері ток базасы азаяды. Ток коллекторының тіктөртбұрыш импульсінің ток базасына берілу кезіндегі пішіні 4.7 суретінде бейнеленген. Бұл суреттен ток коллекторының импульсінің пішіні фронт ұзақтығын созу есебінен ғана емес, импульстің өзі уақыт ұзақтығына байланысты tрас артады. Анықтамалық деректерде қосу, құлдырау және сорылу уақыт мөлшерлерін көрсетеді. Ең тез деген транзисторлар үшін сорылу уақыты 0, 1... 0, 5 мкс, бірақ та көптеген күшті транзисторлар үшін 10 мкс-ке дейін жетеді. меню

№ слайда 26 Бұл сызбанұсқа 4.8 а суретінде көрсетілген және транзистордың күшейткіш қаси
Описание слайда:

Бұл сызбанұсқа 4.8 а суретінде көрсетілген және транзистордың күшейткіш қасиеттерінің байланысы оның вольтамперлік сипаттамасының тікелігімен S есепке алынатын (яғни тікелей жіберудің өткізгіштігімен) П-тәрізді сызбанұсқа түрінде болады, ал күшейткіш қасиеттердің жиілікті тәуелділігі база мен коллектор — Ск арасындағы, және база мен эмиитер -Сэ арасындағы сыйымдылықты есепке алуымен анықталады. Бұл сызбанұсқаның ерекшелігі практикалық есептеулер үшін жеткілікті дәлдікпен жоғарғы жиіліктегі транзисторлардың нақты қасиеттерін көрсетеді. Сонымен қатар, орын басу сызбанұсқасындағы элементтер параметрлерін оңайлықпен өлшеп немесе есептеуге болады. Орын басу сызбанұсқасында (сурет. 4.8 а) Б, К және Э нүктелері транзистор коллекторінің және эмиттерінің базаның шынайы шығу жолдары болып табылады.

№ слайда 27 Транзистордың күшейткіш қасиеттеріне әсер ететін жиілікті есептеу әдісінің ба
Описание слайда:

Транзистордың күшейткіш қасиеттеріне әсер ететін жиілікті есептеу әдісінің басқа түрі аппроксимация болып табылады, яғни мұнда ток базасының берілу коэффициентінің тұрақты мәнінің орнына жиілікті байланыс коэффициенті қолданылады (4.12) мұнда: β0 = В —ток базасының жіберілу коэффициентінің төменгі жиілігі, ωβ — ток базасының жіберілу коэффициентінің шекті жиілігі. ток базаларының жіберілу коэффициентінің жиілікті байланыс модулі мына формуламен анықталады: (4.13) жиілігінде жіберілу коэффициентінің модулі β0 мен салыстырғанда =1,41 есе азаяды.

№ слайда 28 Егер болса, онда ток базаларының жіберілу коэффициентінің жиілікті байланысы
Описание слайда:

Егер болса, онда ток базаларының жіберілу коэффициентінің жиілікті байланысы мынандай түрге ие болады: (4.14) мұнда ток базасының берілу коэффициентінің шекті жиілігі, бұл жерде токтың жіберілу коэффициенті бірлікке шейін төмендейді. Қаралған ток базасының жіберілу коэффициентінің жиілікті тәуелділігі 4.8 б суретінде көрсетілген. (4.15) Фазалық жылжыту жиілікке байланысты болғандықтан, жалпақ спектрлі жиілігі бар сигналдар гармониктің фазалы жылжу есебінен қосымша бұрмаланады. соңы

№ слайда 29
Описание слайда:

№ слайда 30
Описание слайда:

№ слайда 31
Описание слайда:

№ слайда 32
Описание слайда:

№ слайда 33
Описание слайда:

Краткое описание документа:

Биполярлы транзистор деп p-n-өткелінде өзара әрекеттесетін жартылайөткізгішті құрал аталады. Биполярлы транзисторды дайындау технологиясы әр түрлі болуы мүмкін-балқыту, диффузия,  эпитаксия, — бұл маңызды түрде аспаптың сипатамасын анықтайды. Транзистордың динамикалық сипаттамасы оның сызықты және кілтті режимдегі іс-әрекетін әр түрлі сипаттайды. Кілтті режим үшін транзисторды бір күйден екінші күйге ауысу уақыты өте маңызды.  Сол сияқты күшейткіш режим үшін транзистордың әр түрлі жиіліктегі сигналдарды арттыру мүмкіндігін көрсететін қасиеттері маңыздырақ.
Автор
Дата добавления 24.05.2014
Раздел Физика
Подраздел Презентации
Просмотров2217
Номер материала 111372052419
Получить свидетельство о публикации

Выберите специальность, которую Вы хотите получить:

Обучение проходит дистанционно на сайте проекта "Инфоурок".
По итогам обучения слушателям выдаются печатные дипломы установленного образца.

ПЕРЕЙТИ В КАТАЛОГ КУРСОВ

Похожие материалы

Включите уведомления прямо сейчас и мы сразу сообщим Вам о важных новостях. Не волнуйтесь, мы будем отправлять только самое главное.
Специальное предложение
Вверх