Добавить материал и получить бесплатное свидетельство о публикации в СМИ
Эл. №ФС77-60625 от 20.01.2015
Инфоурок / Другое / Презентации / Презентация на тему "Полупроводниковые приборы"

Презентация на тему "Полупроводниковые приборы"


  • Другое

Поделитесь материалом с коллегами:

Тема занятия: Полупроводниковые приборы. Основные свойства полупроводников, в...
1.Общие сведения о полупроводниковых материалах По омическим свойствам вещест...
Согласно зонной теории они отличаются шириной запретной зоны.
Основной элементной базой современных электронных устройств являются полупров...
К полупроводниковым относится большое количество материалов, которые по многи...
В вакуумных электронных приборах электроны движутся в вакууме, в пустоте. В п...
Помимо электронов, в состав каждого атома входят протоны и нейтроны.(атомное...
Помимо малых размеров полупроводники потребляют гораздо меньше энергии и служ...
2. Проводимость полупроводников. Собственная проводимость. Собственными полуп...
Кристаллическая решетка беспримесного (собственного) полупроводника
Примесные полупроводники Примеси могут быть донорного и акцепторного типа.
Донор (т.е. отдающий электрон) - это примесный атом или дефект кристаллическо...
Акцептор (т.е. присоединяющий электрон) - это примесный атом или дефект крист...
Кристаллическая решетка примесного полупроводника
3. Электронно-дырочный переход и его вольтамперная характеристика. Чтобы созд...
Если подключить плюс источника напряжения к кристаллу с p-проводимостью, а ми...
Зона p-n-перехода представляет собой для электронов и дырок потенциальный бар...
При обратном подключении полюса источника напряжения «тянут» электроны и дырк...
Вольт - амперная характеристика p - n - перехода.
Пробой p — n-перехода Пробой диода — это явление резкого увеличения обратного...
Применение полупроводников Диоды Транзисторы Тиристоры Варикапы Стабилитроны...
1 из 21

Описание презентации по отдельным слайдам:

№ слайда 1 Тема занятия: Полупроводниковые приборы. Основные свойства полупроводников, в
Описание слайда:

Тема занятия: Полупроводниковые приборы. Основные свойства полупроводников, вольтамперная характеристика, электронно-дырочный переход. Цель занятия: изучить электрофизические свойства полупроводников, электропроводимость полупроводников, электронно-дырочный переход.

№ слайда 2 1.Общие сведения о полупроводниковых материалах По омическим свойствам вещест
Описание слайда:

1.Общие сведения о полупроводниковых материалах По омическим свойствам вещества делятся на три группы: полупроводники (удельное сопротивление 10-4-1010 Ом*см); проводники (удельное сопротивление 10-4-10-6 Ом*см); изоляторы (диэлектрики) (удельное сопротивление 1010-1012 Ом*см).

№ слайда 3 Согласно зонной теории они отличаются шириной запретной зоны.
Описание слайда:

Согласно зонной теории они отличаются шириной запретной зоны.

№ слайда 4 Основной элементной базой современных электронных устройств являются полупров
Описание слайда:

Основной элементной базой современных электронных устройств являются полупроводниковые приборы. Они отличаются от эл.вакуумных высокой экономичностью и надежностью работы. Класс полупроводниковых приборов составляют: Диоды Биполярные и полевые транзисторы Тиристоры и многие другие приборы, принцип действия которых основан на электрофизических процессах в полупроводниках.

№ слайда 5 К полупроводниковым относится большое количество материалов, которые по многи
Описание слайда:

К полупроводниковым относится большое количество материалов, которые по многим признакам занимают промежуточное положение между проводниковыми и диэлектрическими. Наибольшее распространение в полупроводниковой технике получили кремний, германий, галлий, селен и такие химические соединения как арсенид галлия, карбид кремния, сульфат кадмия и т. д. Полупроводники отличаются от других твердых кристаллических материалов электропроводностью, энергетическим состоянием кристаллов, характерной зависимостью эл.свойств от температуры, излучения и других внешних воздействий. Контролируя электронные процессы, можем управлять эл. током в полупроводниковых приборах.

№ слайда 6 В вакуумных электронных приборах электроны движутся в вакууме, в пустоте. В п
Описание слайда:

В вакуумных электронных приборах электроны движутся в вакууме, в пустоте. В полупроводниковых электроны движутся внутри твердых кристаллов. 1987 г. английский ученый Джон Джозеф Томпсон открыл электрон (считалось что атом неделим), заряд которого 1,6 кулона. Главной передвижной «деталью» всех электронных приборов служит электрон. Атомы всех частей содержат электроны, вращающиеся по определенным орбитам вокруг ядра.

№ слайда 7 Помимо электронов, в состав каждого атома входят протоны и нейтроны.(атомное
Описание слайда:

Помимо электронов, в состав каждого атома входят протоны и нейтроны.(атомное ядро). Нейтрон – нейтрален. Заряд протона по величине равен заряду одного электрона, но имеет положительный заряд. В цело атом тоже нейтрален, потому что число электронов в атоме равняется числу протонов в его ядре.

№ слайда 8 Помимо малых размеров полупроводники потребляют гораздо меньше энергии и служ
Описание слайда:

Помимо малых размеров полупроводники потребляют гораздо меньше энергии и служат дольше, чем вакуумные лампы, приблизительно в 10 раз. Такими свойствами обладают чистые элементы: кремний, селен, германий, а также химические соединения, например окислы некоторых металлов, соединения с серой (сульфиды) или с селеном. Было обнаружено, что эти кристаллы обладают чудесным качеством; они могут служить вентилем, выпрямлять электрический ток.

№ слайда 9 2. Проводимость полупроводников. Собственная проводимость. Собственными полуп
Описание слайда:

2. Проводимость полупроводников. Собственная проводимость. Собственными полупроводниками или полупроводниками типа i (от английского intrinsic - собственный) называются чистые полупроводники, не содержащие примесей. Примесными полупроводникам называются полупроводники, содержащие примеси, валентность которых отличается от валентности основных атомов. Они подразделяются на электронные и дырочные.

№ слайда 10 Кристаллическая решетка беспримесного (собственного) полупроводника
Описание слайда:

Кристаллическая решетка беспримесного (собственного) полупроводника

№ слайда 11 Примесные полупроводники Примеси могут быть донорного и акцепторного типа.
Описание слайда:

Примесные полупроводники Примеси могут быть донорного и акцепторного типа.

№ слайда 12 Донор (т.е. отдающий электрон) - это примесный атом или дефект кристаллическо
Описание слайда:

Донор (т.е. отдающий электрон) - это примесный атом или дефект кристаллической решётки, создающий в запрещенной зоне вблизи "дна" зоны проводимости энергетический уровень, занятый в невозбуждённом состоянии электроном и способный в возбуждённом состоянии при тепловом возбуждении отдать электрон в зону проводимости.

№ слайда 13 Акцептор (т.е. присоединяющий электрон) - это примесный атом или дефект крист
Описание слайда:

Акцептор (т.е. присоединяющий электрон) - это примесный атом или дефект кристаллической решётки, создающий в запрещённой зоне вблизи "потолка" валентной зоны энергетический уровень, свободный от электрона в невозбуждённом состоянии и способный захватить электрон из валентной зоны благодаря тепловому возбуждению.

№ слайда 14 Кристаллическая решетка примесного полупроводника
Описание слайда:

Кристаллическая решетка примесного полупроводника

№ слайда 15 3. Электронно-дырочный переход и его вольтамперная характеристика. Чтобы созд
Описание слайда:

3. Электронно-дырочный переход и его вольтамперная характеристика. Чтобы создать полупроводниковый диод надо спарить два кристалла. Один из них должен обладать n-проводимостью, второй p-проводимостью.

№ слайда 16 Если подключить плюс источника напряжения к кристаллу с p-проводимостью, а ми
Описание слайда:

Если подключить плюс источника напряжения к кристаллу с p-проводимостью, а минус к его напарнику, то через границу разделов кристаллов будет течь ток. Если поменять плюс и минус местами, вентиль запрется, диод разорвет цепь. На границе раздела кристаллов, обладающих p и n-проводимостью, возникнет особая зона – так называемый p-n-переход. Толщина перехода составляет всего десятые доли микрона, и тем не менее в полупроводниковой технике именно этому тонкому слою выпала самая высшая роль.

№ слайда 17 Зона p-n-перехода представляет собой для электронов и дырок потенциальный бар
Описание слайда:

Зона p-n-перехода представляет собой для электронов и дырок потенциальный барьер. При прямом включении кристаллического диода плюс источника подключен со стороны p-проводимости, минус со стороны n-проводимости.

№ слайда 18 При обратном подключении полюса источника напряжения «тянут» электроны и дырк
Описание слайда:

При обратном подключении полюса источника напряжения «тянут» электроны и дырки в разные стороны, барьер становится непреодолимым.

№ слайда 19 Вольт - амперная характеристика p - n - перехода.
Описание слайда:

Вольт - амперная характеристика p - n - перехода.

№ слайда 20 Пробой p — n-перехода Пробой диода — это явление резкого увеличения обратного
Описание слайда:

Пробой p — n-перехода Пробой диода — это явление резкого увеличения обратного тока через диод при достижении обратным напряжением некоторого критического для данного диода значения. В зависимости от физических явлений, приводящих к пробою, различают электрический и тепловой пробои.

№ слайда 21 Применение полупроводников Диоды Транзисторы Тиристоры Варикапы Стабилитроны
Описание слайда:

Применение полупроводников Диоды Транзисторы Тиристоры Варикапы Стабилитроны (диод Зенера (Зинера)) Светодиоды (диоды Генри Раунда) Фотодиоды Стабисторы


Автор
Дата добавления 03.10.2015
Раздел Другое
Подраздел Презентации
Просмотров1424
Номер материала ДВ-028230
Получить свидетельство о публикации


Включите уведомления прямо сейчас и мы сразу сообщим Вам о важных новостях. Не волнуйтесь, мы будем отправлять только самое главное.
Специальное предложение
Вверх