Инфоурок Физика ПрезентацииПрезентация по физике "Полупроводники"

Презентация по физике "Полупроводники"

Скачать материал
Скачать материал "Презентация по физике "Полупроводники""

Получите профессию

Фитнес-тренер

за 6 месяцев

Пройти курс

Рабочие листы
к вашим урокам

Скачать

Методические разработки к Вашему уроку:

Получите новую специальность за 2 месяца

Художественный руководитель

Описание презентации по отдельным слайдам:

  • Собственная и примесная проводимость полупроводников. ++++Полупроводниковые...

    1 слайд

    Собственная и примесная проводимость полупроводников.

    +
    +
    +
    +
    Полупроводниковые приборы.

  • Полупроводники  —  материалы,  которые  по  своей   проводимости занимают про...

    2 слайд

    Полупроводники — материалы, которые по своей проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками
    и отличаются от проводников сильной зависимостью проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения.
    ρ
    Т
    0
    Основное свойство полупроводников – увеличение электрической проводимости
    с ростом температуры.

    Из графика зависимости ρ(Т) видно,
    что при Т → 0 , ρ→ ∞ ,
    а при Т → ∞ , ρ→0


    Вывод:
    При низких температурах полупроводник
    ведет себя как диэлектрик , а при
    высоких обладает хорошей проводимостью

  • Строение полупроводников
( на примере кремния)1234Кремний – четырехвалентный...

    3 слайд

    Строение полупроводников
    ( на примере кремния)
    1
    2
    3
    4
    Кремний – четырехвалентный элемент,
    во внешней оболочке – четыре электрона.
    Каждый атом связан с четырьмя соседними
    Каждая пара соседних атомов
    взаимодействует с помощью парноэлектронной связи .
    От каждого атома в ее образовании участвует один электрон.

    Любой валентный электрон может двигаться по любой из четырех связей
    атома, а , дойдя до соседнего, двигаться по его связям, т.е по всему кристаллу.
    Парноэлектронные связи достаточно прочны и при низких температурах
    не разрываются, поэтому при низких температурах кремний не проводит ток.

  • Собственная проводимость полупроводниковПри повышении температуры отдельные с...

    4 слайд

    Собственная проводимость полупроводников
    При повышении температуры отдельные связи разрываются, электроны
    становятся «свободными», в электрическом поле они перемещаются
    упорядоченно, образуя ток. При увеличении температуры от 300 К до 700 К
    их число возрастает в 107 раз.
    При разрыве связи образуется вакантное место , которое называют дыркой.
    В дырке имеется избыточный положительный заряд.
    +
    +
    +
    +
    Е

  • Положение дырки в кристалле постоянно меняется. Этот процесс протекает так :О...

    5 слайд

    Положение дырки в кристалле постоянно меняется. Этот процесс протекает так :
    Один из электронов,
    обеспечивающих связь атомов,
    перескакивает на место дырки,
    восстанавливает парноэлектронную связь , а там, где он находился, образуется дырка.
    Если Е = 0, то перемещение дырок беспорядочно, поэтому
    не создает тока.
    Если Е ≠ 0, то движение дырок
    становится упорядоченным , и к
    электрическому току, образованному движением электронов, добавляется ток, связанный с перемещением дырок.
    Вывод:
    в полупроводниках имеются
    носители зарядов двух типов :
    электроны и дырки.
    Проводимость чистых полупроводников называется
    собственной проводимостью полупроводников
    Собственная проводимость полупроводников обычно невелика.

  • Электрическая проводимость полупроводников
при наличии примесейПРИМЕСИДОНОРНЫ...

    6 слайд

    Электрическая проводимость полупроводников
    при наличии примесей
    ПРИМЕСИ
    ДОНОРНЫЕ
    АКЦЕПТОРНЫЕ
    Примеси, легко отдающие
    электроны, увеличивающие количество свободных электронов.
    Атом мышьяка имеет 5 валентных
    электронов, 4 из которых участвуют
    в образовании парноэлектронных
    связей, а пятый становится свободным.
    Полупроводники , содержащие
    донорные примеси, называются
    полупроводниками п – типа
    от слова negative – отрицательный
    Примеси, легко принимающие
    электроны, увеличивающие количество дырок.
    Атом индия имеет 3 валентных
    электрона, которые участвуют
    в образовании парноэлектронных
    связей, а для образования четвертой электрона недостает,
    в результате образуется дырка.
    Полупроводники , содержащие
    акцепторные примеси, называются
    полупроводниками р – типа
    от слова positive – положительный

  • Наибольший интерес представляет контакт полупроводников р – и  п – типа, назы...

    7 слайд

    Наибольший интерес представляет контакт полупроводников р – и п – типа, называемый р – п-переходом
    р – типа
    п – типа
    р – п-переход
    При образовании контакта электроны частично переходят из полупроводника п - типа в полупроводник р – типа, а дырки – в обратном направлении
    В результате полупроводник п - типа заряжается положительно, а р – типа - отрицательно .
    В зоне перехода возникает электрическое поле, которое через некоторое время начинает препятствовать дальнейшему перемещению дырок и электронов.
    Е
    +
    _

  • р – типап – типар – п-переход +_UI0Рассмотренный переход называют прямымВольт...

    8 слайд

    р – типа
    п – типа
    р – п-переход
    +
    _
    U
    I
    0
    Рассмотренный переход называют прямым
    Вольт - амперная характеристика прямого перехода
    изображена на графике
    При данном подключении ток через р – п-переход
    осуществляется основными носителями зарядов, поэтому
    проводимость перехода велика, а сопротивление мало
    Особенности действия р – п-перехода при его подключении в цепь

  • р – типап – типар – п-переход +_При данном  подключении ток через р – п-перех...

    9 слайд

    р – типа
    п – типа
    р – п-переход
    +
    _
    При данном подключении ток через р – п-переход
    осуществляется неосновными носителями, поэтому
    проводимость перехода мала, а сопротивление велико.


    U
    I
    0
    Этот переход называют обратным
    Вольт - амперная характеристика обратного перехода
    изображена на графике пунктиром.
    р – п-переход по отношению к току оказывается несимметричным :
    в прямом направлении сопротивление перехода значительно меньше,
    чем в обратном.

  • Полупроводниковый диод  благодаря своему основному свойству –односторонней пр...

    10 слайд

    Полупроводниковый диод благодаря своему основному свойству –односторонней проводимости, широко используется для
    выпрямления переменного тока
    Ge
    In
    _
    +
    Изготавливают диоды из германия, кремния, селена, помещая их
    в герметичный металлический корпус.
    Чтобы избежать зазора между
    полупроводниками с различными
    типами проводимости, в одну из
    поверхностей германия вплавляют
    каплю индия.

    р – п
    Между двумя областями с
    проводимостями разных типов образуется р – п-переход
    преимущества
    Преимущества
    полупроводниковых диодов
    не требуют специального источника энергии
    для образования носителей
    заряда;
    очень компактны, миниатюрны;
    - обозначение диода на схеме
    пропускает ток
    не пропускает ток

  • Транзистор  –  прибор, позволяющий входным сигналам управлять током в электри...

    11 слайд

    Транзистор – прибор, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления и преобразования электрических сигналов.
    Ge
    In
    In
    п – р
    р – п
    эмиттер
    коллектор
    база
    эмиттерный
    переход
    коллекторный
    переход
    Три области: эмиттер, база, коллектор.
    Два р – п – перехода:
    эмиттер – база – эмиттерный переход;
    коллектор – база – коллекторный переход
    В зависимости от проводимости базы, транзисторы
    делятся на два типа: п – р - п и р – п - р

    Толщина базы должна быть значительно меньше
    длины свободного пробега носителей тока, а
    концентрация основных носителей в базе
    значительно меньше концентрации основных
    носителей тока в эмиттере – для минимальной
    рекомбинации в базе.
    Площадь коллекторного перехода должна быть больше площади эмиттерного
    перехода, чтобы перехватить весь поток носителей тока от эмиттера.

  • GeInIn п – р р – п эмиттер коллектор база+_R  ~Рассмотрим принцип действия пр...

    12 слайд

    Ge
    In
    In
    п – р
    р – п
    эмиттер
    коллектор
    база
    +
    _
    R
    ~
    Рассмотрим принцип действия прибора при включении
    в цепь, схема которой показана на рисунке
    При создании напряжения между эмиттером
    и базой, основные носители - дырки, проникают
    в базу, где небольшая часть их рекомбинирует
    с электронами базы, а основная часть попадает
    в коллекторный переход , который закрыт
    для электронов, но не для дырок.
    Т.к. основное число дырок, пройдя через базу,
    замкнули цепь, сила тока в эмиттере и
    коллекторе практически равны.
    Сила тока в коллекторе от величины
    сопротивления R практически не зависит,
    Но от его величины будет зависеть
    напряжение на нем. Именно поэтому,
    изменяя сопротивление, можно получать многократное усиление напряжения, а , значит,
    и мощности .

  • Применение транзисторовТранзисторы получили  
чрезвычайно широкое распростран...

    13 слайд

    Применение транзисторов
    Транзисторы получили
    чрезвычайно широкое распространение:
    заменяют электронные лампы во многих цепях;
    портативная радиоаппаратура;
    цифровая техника;
    процессоры;
    И все это благодаря своим преимуществам:
    не потребляют большой мощности,
    компактны по размерам и массе,
    работают при более низких напряжениях.

    Недостатками транзисторов являются:
    большая чувствительность к повышению температуры;
    чувствительность к электрическим перегрузкам;
    чувствительность к проникающим излучениям.
    Б
    Э
    К
    обозначение транзистора
    на схеме

Получите профессию

Интернет-маркетолог

за 6 месяцев

Пройти курс

Рабочие листы
к вашим урокам

Скачать

Скачать материал

Найдите материал к любому уроку, указав свой предмет (категорию), класс, учебник и тему:

6 626 999 материалов в базе

Материал подходит для УМК

  • «Физика. Базовый и профильный уровни», Тихомирова С.А., Яворский Б.М.

    «Физика. Базовый и профильный уровни», Тихомирова С.А., Яворский Б.М.

    Тема

    § 79. Полупроводники. Собственная проводимость полупроводников

    Больше материалов по этой теме
Скачать материал

Другие материалы

Вам будут интересны эти курсы:

Оставьте свой комментарий

Авторизуйтесь, чтобы задавать вопросы.

  • Скачать материал
    • 21.01.2019 446
    • PPTX 217.6 кбайт
    • Оцените материал:
  • Настоящий материал опубликован пользователем Мишаков Александр Николаевич. Инфоурок является информационным посредником и предоставляет пользователям возможность размещать на сайте методические материалы. Всю ответственность за опубликованные материалы, содержащиеся в них сведения, а также за соблюдение авторских прав несут пользователи, загрузившие материал на сайт

    Если Вы считаете, что материал нарушает авторские права либо по каким-то другим причинам должен быть удален с сайта, Вы можете оставить жалобу на материал.

    Удалить материал
  • Автор материала

    Мишаков Александр Николаевич
    Мишаков Александр Николаевич
    • На сайте: 5 лет и 2 месяца
    • Подписчики: 2
    • Всего просмотров: 12586
    • Всего материалов: 4

Ваша скидка на курсы

40%
Скидка для нового слушателя. Войдите на сайт, чтобы применить скидку к любому курсу
Курсы со скидкой

Курс профессиональной переподготовки

Менеджер по туризму

Менеджер по туризму

500/1000 ч.

Подать заявку О курсе

Курс повышения квалификации

Информационные технологии в деятельности учителя физики

72/108 ч.

от 2200 руб. от 1100 руб.
Подать заявку О курсе
  • Сейчас обучается 118 человек из 46 регионов

Курс повышения квалификации

Теоретическая механика: векторная графика

36 ч. — 180 ч.

от 1580 руб. от 940 руб.
Подать заявку О курсе

Курс повышения квалификации

Особенности подготовки к сдаче ЕГЭ по физике в условиях реализации ФГОС СОО

36 ч. — 180 ч.

от 1700 руб. от 850 руб.
Подать заявку О курсе
  • Сейчас обучается 48 человек из 27 регионов

Мини-курс

Введение в инвестиции и инвестиционный процесс

4 ч.

780 руб. 390 руб.
Подать заявку О курсе

Мини-курс

Преодоление фобий: шаг за шагом к свободе от социальных источников страха

4 ч.

780 руб. 390 руб.
Подать заявку О курсе

Мини-курс

Мастерство PowerPoint: систематизация, интерактивность и эффективность

10 ч.

1180 руб. 590 руб.
Подать заявку О курсе
  • Сейчас обучается 1145 человек из 82 регионов
Сейчас в эфире

Консультация эксперта в области деловых коммуникаций. Зачем нужна корпоративная культура?

Перейти к трансляции