Добавить материал и получить бесплатное свидетельство о публикации в СМИ
Эл. №ФС77-60625 от 20.01.2015
Инфоурок / Физика / Презентации / Презентация по физике на тему "Электрический ток в полупроводниках" (10 класс)
ВНИМАНИЮ ВСЕХ УЧИТЕЛЕЙ: согласно Федеральному закону № 313-ФЗ все педагоги должны пройти обучение навыкам оказания первой помощи.

Дистанционный курс "Оказание первой помощи детям и взрослым" от проекта "Инфоурок" даёт Вам возможность привести свои знания в соответствие с требованиями закона и получить удостоверение о повышении квалификации установленного образца (180 часов). Начало обучения новой группы: 24 мая.

Подать заявку на курс
  • Физика

Презентация по физике на тему "Электрический ток в полупроводниках" (10 класс)

библиотека
материалов
Познакомиться: с зависимостью сопротивления полупроводников от температуры на...
сформировать умения сравнивать, анализировать и сопоставлять модель электриче...
Электрический ток? Направление тока? Условия возникновения и существования? Х...
4. Сопротивление. Причина сопротивления. От чего зависит сопротивление? (форм...
вещества, которые по своей электропроводности находятся между проводниками и...
Характер зависимости сопротивления от температуры металлы полупроводники t
Si Si Si Si
осуществляется с помощью (парноэлектронной) ковалентной связи при низкой темп...
Кинетическая энергия валентных электронов увеличивается, происходит разрыв от...
Si Si Si Si дырка
существуют носители зарядов двух типов: электроны и дырки. Полупроводники обл...
Si Si Si Si дырка атомы, ионы электроны
1. Структурные единицы – атомы, положительные ионы, свободные электроны, дырк...
3. Атомы и ионы - колеблются около положения равновесия; дырки - перемещаются...
5. Макропараметры: сила тока I, напряжение U, температура Т. Микропараметры:...
Собственная – проводимость чистых полупроводников не содержащих каких либо пр...
Донорная – примесь легко отдающая электроны Акцепторная – примесь захватывающ...
n – типа полупроводник, содержащий донорную примесь 2. р – типа полупроводник...
Si Si Si Si As свободный электрон
Si Si Si Si ОНЗ - электроны Не ОНЗ - дырки nэ>>nд
Si Si Si Si In дырка
Si Si Si Si Не ОНЗ - электроны ОНЗ - дырки nд>>nэ
Зависимость силы тока от напряжения U↑, E↑, F↑, a↑, ϑдр↑ => I↑ 2. Зависимость...
3. Зависимость сопротивления от температуры Мысленно нагреваем образец полупр...
ϑэл↑, ϑдр ↑ Т↑ => I ↑ nэл ↓, nд ↓ Сильное влияние оказывает концентрация эле...
р n + + + + + + + + Диффузия прекращается после того, как электрическое поле...
р n + + + + + + + + + Е з Евнешн. Ток через переход осуществляется основными...
Зона перехода р n + + + + + + + + + Е з Евнешн Ток через переход осуществляет...
Прямой переход (R – мало, проводимость большая) Обратный переход (R – большое...
p-n переход по отношению к току оказывается несимметричным: в прямом направле...
Изготавливают из германия, кремния, селена и других веществ Условное обозначе...
Преимущество: Высокая надежность Большой срок службы Недостатки: Ограниченны...
Чем полупроводники отличаются от проводников? Модель электрического тока в по...
в) как они движутся? г) как взаимодействуют между собой? д) какими микро- и м...
4. Что называют p-n – переходом? 5. Что происходит в контакте двух проводнико...
В четырехвалентный кремний добавили первый раз трехвалентный индий, а во вт...
Каким типом проводимости в основном обладал полупроводник в каждом случае? А...
§ 113-115 прочитать Вопросы устно Упр. 20 № 1-3 стр. 340
40 1

Описание презентации по отдельным слайдам:

№ слайда 1
Описание слайда:

№ слайда 2 Познакомиться: с зависимостью сопротивления полупроводников от температуры на
Описание слайда:

Познакомиться: с зависимостью сопротивления полупроводников от температуры на основе электронных представлений; с моделью электрического тока в полупроводниках; с закономерностью протекания тока через р-n переход; с применением полупроводников.

№ слайда 3 сформировать умения сравнивать, анализировать и сопоставлять модель электриче
Описание слайда:

сформировать умения сравнивать, анализировать и сопоставлять модель электрического тока в полупроводниках р-типа и n-типа

№ слайда 4 Электрический ток? Направление тока? Условия возникновения и существования? Х
Описание слайда:

Электрический ток? Направление тока? Условия возникновения и существования? Характеристики электрического тока? Дать понятие. Что представляет собой электрический ток в металлах? Подчиняется ли он закону Ома? Вольт - амперная характеристика.

№ слайда 5 4. Сопротивление. Причина сопротивления. От чего зависит сопротивление? (форм
Описание слайда:

4. Сопротивление. Причина сопротивления. От чего зависит сопротивление? (формулы, график) 5. Сверхпроводимость и ее применение.

№ слайда 6 вещества, которые по своей электропроводности находятся между проводниками и
Описание слайда:

вещества, которые по своей электропроводности находятся между проводниками и диэлектриками Примеры: кремний, селен, сера, мышьяк, германий и т.д.

№ слайда 7 Характер зависимости сопротивления от температуры металлы полупроводники t
Описание слайда:

Характер зависимости сопротивления от температуры металлы полупроводники t

№ слайда 8 Si Si Si Si
Описание слайда:

Si Si Si Si

№ слайда 9 осуществляется с помощью (парноэлектронной) ковалентной связи при низкой темп
Описание слайда:

осуществляется с помощью (парноэлектронной) ковалентной связи при низкой температуре эта связь прочная поэтому полупроводник ведет себя как диэлектрик

№ слайда 10 Кинетическая энергия валентных электронов увеличивается, происходит разрыв от
Описание слайда:

Кинетическая энергия валентных электронов увеличивается, происходит разрыв отдельных связей. В результате электроны покидают свое место и перемещаются по всему кристаллу (свободный ) При разрыве связи образуется вакантное место с недостающим электроном – дырка.

№ слайда 11 Si Si Si Si дырка
Описание слайда:

Si Si Si Si дырка

№ слайда 12 существуют носители зарядов двух типов: электроны и дырки. Полупроводники обл
Описание слайда:

существуют носители зарядов двух типов: электроны и дырки. Полупроводники обладают электронной и дырочной проводимостью

№ слайда 13 Si Si Si Si дырка атомы, ионы электроны
Описание слайда:

Si Si Si Si дырка атомы, ионы электроны

№ слайда 14 1. Структурные единицы – атомы, положительные ионы, свободные электроны, дырк
Описание слайда:

1. Структурные единицы – атомы, положительные ионы, свободные электроны, дырки. Носители заряда – свободные электроны и дырки 2. Атомы и ионы расположены упорядочено, в узлах кристаллической решетки; дырки и электроны – беспорядочно по всему объему полупроводника

№ слайда 15 3. Атомы и ионы - колеблются около положения равновесия; дырки - перемещаются
Описание слайда:

3. Атомы и ионы - колеблются около положения равновесия; дырки - перемещаются вдоль направления силовых линий поля; электроны – против силовых линий. 4. Атомы и ионы препятствуют направленному движению носителей заряда

№ слайда 16 5. Макропараметры: сила тока I, напряжение U, температура Т. Микропараметры:
Описание слайда:

5. Макропараметры: сила тока I, напряжение U, температура Т. Микропараметры: скорость электронов , скорость дырок , концентрация электронов nэ концентрация дырок nд

№ слайда 17 Собственная – проводимость чистых полупроводников не содержащих каких либо пр
Описание слайда:

Собственная – проводимость чистых полупроводников не содержащих каких либо примесей Примесная – проводимость полупроводников содержащих примеси

№ слайда 18 Донорная – примесь легко отдающая электроны Акцепторная – примесь захватывающ
Описание слайда:

Донорная – примесь легко отдающая электроны Акцепторная – примесь захватывающая электроны и создающая дырки

№ слайда 19 n – типа полупроводник, содержащий донорную примесь 2. р – типа полупроводник
Описание слайда:

n – типа полупроводник, содержащий донорную примесь 2. р – типа полупроводник, содержащий акцепторную примесь

№ слайда 20 Si Si Si Si As свободный электрон
Описание слайда:

Si Si Si Si As свободный электрон

№ слайда 21 Si Si Si Si ОНЗ - электроны Не ОНЗ - дырки nэ>>nд
Описание слайда:

Si Si Si Si ОНЗ - электроны Не ОНЗ - дырки nэ>>nд

№ слайда 22 Si Si Si Si In дырка
Описание слайда:

Si Si Si Si In дырка

№ слайда 23 Si Si Si Si Не ОНЗ - электроны ОНЗ - дырки nд>>nэ
Описание слайда:

Si Si Si Si Не ОНЗ - электроны ОНЗ - дырки nд>>nэ

№ слайда 24 Зависимость силы тока от напряжения U↑, E↑, F↑, a↑, ϑдр↑ => I↑ 2. Зависимость
Описание слайда:

Зависимость силы тока от напряжения U↑, E↑, F↑, a↑, ϑдр↑ => I↑ 2. Зависимость силы тока от температуры Т↑ => nэл ↑, nд ↑ => I ↑

№ слайда 25 3. Зависимость сопротивления от температуры Мысленно нагреваем образец полупр
Описание слайда:

3. Зависимость сопротивления от температуры Мысленно нагреваем образец полупроводника при U=const Кинетическая энергия валентных электронов увеличивается, происходит разрыв отдельных связей, число электронов и дырок увеличивается.

№ слайда 26 ϑэл↑, ϑдр ↑ Т↑ => I ↑ nэл ↓, nд ↓ Сильное влияние оказывает концентрация эле
Описание слайда:

ϑэл↑, ϑдр ↑ Т↑ => I ↑ nэл ↓, nд ↓ Сильное влияние оказывает концентрация электронов и дырок !!!

№ слайда 27
Описание слайда:

№ слайда 28 р n + + + + + + + + Диффузия прекращается после того, как электрическое поле
Описание слайда:

р n + + + + + + + + Диффузия прекращается после того, как электрическое поле, возникающее в зоне перехода, начинает препятствовать дальнейшему перемещению электронов и дырок. Зона перехода

№ слайда 29 р n + + + + + + + + + Е з Евнешн. Ток через переход осуществляется основными
Описание слайда:

р n + + + + + + + + + Е з Евнешн. Ток через переход осуществляется основными носителями заряда (прямой переход). Проводимость велика, сопротивление мало. Зона перехода

№ слайда 30 Зона перехода р n + + + + + + + + + Е з Евнешн Ток через переход осуществляет
Описание слайда:

Зона перехода р n + + + + + + + + + Е з Евнешн Ток через переход осуществляется неосновными носителями заряда (обратный переход). Проводимость мала, сопротивление большое.

№ слайда 31 Прямой переход (R – мало, проводимость большая) Обратный переход (R – большое
Описание слайда:

Прямой переход (R – мало, проводимость большая) Обратный переход (R – большое, проводимость мала)

№ слайда 32 p-n переход по отношению к току оказывается несимметричным: в прямом направле
Описание слайда:

p-n переход по отношению к току оказывается несимметричным: в прямом направлении сопротивление перехода значительно меньше, чем в обратном. Это свойство используют для выпрямления переменного тока.

№ слайда 33 Изготавливают из германия, кремния, селена и других веществ Условное обозначе
Описание слайда:

Изготавливают из германия, кремния, селена и других веществ Условное обозначение

№ слайда 34 Преимущество: Высокая надежность Большой срок службы Недостатки: Ограниченны
Описание слайда:

Преимущество: Высокая надежность Большой срок службы Недостатки: Ограниченный интервал температур (от -70 до 125°С)

№ слайда 35 Чем полупроводники отличаются от проводников? Модель электрического тока в по
Описание слайда:

Чем полупроводники отличаются от проводников? Модель электрического тока в полупроводниках а) структурные единицы, носители заряда. б) как расположены структурные единицы?

№ слайда 36 в) как они движутся? г) как взаимодействуют между собой? д) какими микро- и м
Описание слайда:

в) как они движутся? г) как взаимодействуют между собой? д) какими микро- и макропараметрами характеризуется модель? 3. Закономерности протекания тока а) зависимость I(U) б) зависимость R(T) в) зависимость I (T)

№ слайда 37 4. Что называют p-n – переходом? 5. Что происходит в контакте двух проводнико
Описание слайда:

4. Что называют p-n – переходом? 5. Что происходит в контакте двух проводников p и n – типов? 6. Что такое запирающий слой? 7. Какой переход называют прямым? 8. Для чего служит полупроводниковый диод?

№ слайда 38 В четырехвалентный кремний добавили первый раз трехвалентный индий, а во вт
Описание слайда:

В четырехвалентный кремний добавили первый раз трехвалентный индий, а во второй раз пятивалентный фосфор. А. В первом – дырочной, во втором – электронной. Б. В первом электронной, во втором дырочной. В. В обоих случаях электронной. Г. В обоих случаях дырочной

№ слайда 39 Каким типом проводимости в основном обладал полупроводник в каждом случае? А
Описание слайда:

Каким типом проводимости в основном обладал полупроводник в каждом случае? А. В первом – дырочной, во втором – электронной. Б. В первом – электронный, во втором – дырочной. В. В обоих случаях электронной. Г. В обоих случаях дырочной. Д. В обоих случаях электронно-дырочной

№ слайда 40 § 113-115 прочитать Вопросы устно Упр. 20 № 1-3 стр. 340
Описание слайда:

§ 113-115 прочитать Вопросы устно Упр. 20 № 1-3 стр. 340

Краткое описание документа:

Презентация по физике "Электрический ток в полупроводниках"для 10 класса к учебнику Г.Я. Мякишева. Цель: познакомить обучающихся с

- зависимостью сопротивления полупроводников от температуры на основе электронных представлений представлений;

- моделью электрического тока в полупроводниках;

- закономерностью протекания тока через р-n переход;

- применением полупроводников.

В презентации имеются вопросы для повторения, закрепления и домашнее задание.

Задачи: сформировать умения сравнивать и сопоставлять модель электрического тока в полупроводниках р-типа и n-типа.

Автор
Дата добавления 12.01.2015
Раздел Физика
Подраздел Презентации
Просмотров2174
Номер материала 289254
Получить свидетельство о публикации

Выберите специальность, которую Вы хотите получить:

Обучение проходит дистанционно на сайте проекта "Инфоурок".
По итогам обучения слушателям выдаются печатные дипломы установленного образца.

ПЕРЕЙТИ В КАТАЛОГ КУРСОВ

Похожие материалы

Включите уведомления прямо сейчас и мы сразу сообщим Вам о важных новостях. Не волнуйтесь, мы будем отправлять только самое главное.
Специальное предложение
Вверх