Тест по теме "Электрический ток в полупроводниках"

Тест по теме «Электрический ток в полупроводниках»

1. Существенное уменьшение сопротивления полупроводников при нагревании объясняется

А) увеличением числа свободных носителей заряда

Б) увеличением скорости дрейфа свободных носителей заряда

1) только А         2) только Б         3) и А, и Б          4) ни А, ни Б

2. Какими носителями электрического заряда создается ток в полупроводниках?

1)  только ионами

2) только  электронами

3) электронами и ионами

4) электронами и дырками

3. Каким типом проводимости обладают полупроводниковые материалы без примесей?

1) в основном электронной

2) в основном дырочной

3) в равной степени электронной и дырочной

4) ионной

4. В четырехвалентный кремний добавили первый раз трехвалентный индий, а во второй раз пятивалентный фосфор. Каким типом проводимости в основном будет обладать полупроводник в каждом случае?

1) в I – дырочной, во II – электронной

2) в I – электронной, во II – дырочной

3) в обоих случаях электронной

4) в обоих случаях дырочной

5. Какой из графиков, представленных на рисунке , соответствует вольт – амперной характеристике полупроводникового диода, включенного в прямом направлении?

 

          U                                          U                                        U                                    U

 

0           1)                              0         2)                            0         3)                       0         4)

6. Стержни из металла и полупроводника нагревают на Т градусов каждый. При этом

1) сопротивление обоих стержней уменьшится

2) сопротивление обоих стержней увечится

3) сопротивление металлического стержня уменьшится, а сопротивление стержня из полупроводника увеличится

4) сопротивление металлического стержня увеличится, а сопротивление стержня из полупроводника уменьшится

7. Концентрацию донорной примеси в полупроводнике увеличивают в 2 раза. При этом примерно в 2 раза

1) увеличивается электронная проводимость

2) уменьшается электронная проводимость

3) увеличивается дырочная проводимость

4) уменьшается дырочная проводимость

8. p-n  - переход присоединен через металлические контакты к источнику тока так, что к p-зоне присоединена отрицательная клемма источника. Если током неосновных носителей зарядов пренебречь ток

1) в p-зоне перехода обеспечивается в основном движением дырок, в n-зоне  - электронов

2) в p-зоне перехода обеспечивается в основном движением электронов, в n-зоне  - дырок

3) в p-зоне и   n-зоне  перехода обеспечивается в равной степени движением дырок и  электронов

4) в p-зоне и n-зоне  не идет