Глава 1.4. Технологии электронных схем

• 1 слайд

  Технологии электронных схем
  Часть 4
  

• 2 слайд

  Электронные микросхемы
  Основой электронных технологий в настоящее время являются полупроводники (semiconductors) — вещества, электропроводность которых увеличивается с ростом температуры и является промежуточной между проводимостью металлов и изоляторов.
  

• 3 слайд

  Полупроводники
  Наиболее часто используемыми в электронике полупроводниками являются кремний и германий. На их основе путем внедрения примесей в определенных точках кристаллов создаются разнообразные полупроводниковые элементы, к которым относятся:
  
  • проводники, коммутирующие активные элементы;
  • вентили, выполняющие логические операции;
  • транзисторы (полупроводниковые триоды), предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрического тока;
  

• 4 слайд

  Полупроводники
  
  • резисторы, обеспечивающие режимы работы активных элементов;
  • приборы с зарядовой связью (ПЗС), предназначенные для кратковременного хранения электрического заряда и используемые в светочувствительных матрицах видеокамер;
  • диоды и др.
  
  

• 5 слайд

  Технологий построения
  логических элементов:
  В настоящее время используется несколько технологий построения логических элементов:
  • транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ, TTL);
  • логика на основе комплементарных МОП-транзисторов (КМОП, CMOS);
  • логика на основе сочетания комплементарных МОП- и биполярных транзисторов (BiCMOS).
  

• 6 слайд

  Некоторые полезные правила
  При положительной логике напряжение высокого уровня соответствует логической «1»,
  а при отрицательной логике — «О».
  
  В большинстве современных персональных
  компьютеров напряжение питания составляет 3,3 В (в более ранних версиях, до Pentium — 5 В), то выходная «1» задается напряжением 3,3 В.
  
  

• 7 слайд

  Закон Мура
  эмпирическое наблюдение, изначально сделанное Гордоном Муром, согласно которому:
  
  Количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые 24 месяца
  

• 8 слайд

  Закон Мура
  

• 9 слайд

  Динамика изменения схемных элементов
  

• 10 слайд

  Технологии электронных схем
  Ключевыми выражениями при описании микросхемных элементов являются такие, как «технология 130 нм», «технологический процесс 0,5 мкм» и т. д.
  
  Это означает, что размеры транзисторов или других элементов (узлов, node) соответственно не превышают 130 нанометров (1 нм = 𝟏𝟎 −𝟗 м), либо же 0,5 микрон (1 мкм = 𝟏𝟎 −𝟔 ).
  

• 11 слайд

  Для сравнения…
  

• 12 слайд

  Микропроцессоры
  

Краткое описание документа:

Цикл лекций по Архитектуре компьютерных систем.

По Учебнику Максимова Н.В. Архитектура Компьютерных Систем с доп. материалом от Кондюрина В.А.

Глава 1. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА
И МАШИНЫ. ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ

1.4. Технологии электронных схем

Партыка Татьяна Леонвдовна
Попов Игорь Иванович

Архитектура ЭВМ
и вычислительных систем
Учебное издание