Лабораторно-практическое занятие:«Определение коэффициента усиления транзистора» (11 класс)

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ, НАУКИ И МОЛОДЁЖНОЙ ПОЛИТИКИ

 КРАСНОДАРСКОГО КРАЯ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ

УЧРЕЖДЕНИЕ КРАСНОДАРСКОГО КРАЯ

ТУАПСИНСКИЙ ГИДРОМЕТЕОРОЛОГИЧЕСКИЙ ТЕХНИКУМ

МЕТОДИЧЕСКАЯ РАЗРАБОТКА

Лабораторно – практической работы:

«Определение коэффициента усиления транзистора»

по дисциплине: «Электротехника и электроника»

Разработал и выполнил

преподаватель

Гайсинюк М. Н.

Туапсе

2020г.

СОДЕРЖАНИЕ:

ВВЕДЕНИЕ

                                   I.            ПЛАН – КОНСПЕКТ ОТКРЫТОГО УРОКА – ИССЛЕДОВАНИЯ

                               II.            ПЛАН УРОКА

                           III.             ХОД УРОКА

1.     Организационный момент

2.     Мотивация и целепологание

3.     Актуализация знаний

4.     Выполнение лабораторной работы

5.     Итог урока

6.     Домашнее задание

7.     Рефлексия

                            IV.             ЗАКЛЮЧЕНИЕ

                                V.            ПРИЛОЖЕНИЕ

                            VI.             СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

                        VII.            РЕЦЕНЗИЯ

ВВЕДЕНИЕ

В профессиональном образовании используются два вида учебных занятий: теоретические и практические. Первые нацелены на изложение теории научно-практической области, основных теоретических положений и законов. Вторые ориентированы на организацию практической деятельности обучаемых.

Тип учебного занятия, которое проектирует преподаватель, мастер, определяется целями и применяемыми педагогическими технологиями. Основная форма теоретического и практического занятия в профессиональном образовательном учреждении – это урок.

Одним из типов уроков, широко применяемых у нас в техникуме, являются уроки совершенствования знаний, умений и навыков. На них происходит вторичное осмысление изучаемого материала, воспроизведение и применение полученных знаний и умений для достижения их прочности.

Такие уроки могут включать беседу с учащимися по ранее изученному материалу темы, лабораторно – практические работы, упражнения в решении задач, разработку технологических процессов, письменные или графические работы, различные виды самостоятельных работ, работу на тренажерах, просмотры видеофильмов и т.д.

Я предлагаю методическую разработку проведенного открытого лабораторно – практического занятия по теме: «Определение коэффициента усиления транзистора». Данный урок проводился в рамках мероприятий, посвященных Всемирному дню метеоролога.

Данная методическая разработка может послужить как одним из примеров проведения лабораторно – практических занятий.

Она имеет практическую ценность для преподавателей и студентов и может быть использована в учебно – воспитательном процессе.

План-конспект открытого урока-исследования

по дисциплине: «Электротехника»

В группе 168

Тема урока – «Определение коэффициента усиления транзистора»

Дата проведения: 16.03.2020г.

Форма урока – лабораторно - практическая работа.

Тип урока: комбинированный урок закрепления знаний, с элементами изучения нового материала и проверкой полученных знаний выполнением экспериментов.

Цели урока: - Продемонстрировать методику урока-исследования, в рамках проведения месячника, посвященного Всемирному Дню Метеоролога.

Задачи урока:

ü Образовательные:

1.     Расширить понятия: биполярный транзистор, режимы работы транзистора, схемы включения биполярного транзистора, принцип работы биполярного транзистора.

2.     Обеспечить более полное и углубленное усвоение материала.

3.     Закрепить навыки определения основной характеристики транзистора – коэффициента усиления транзистора.

ü Развивающие:

1.     Развивать критическое мышление студентов и формировать у них такие составляющие как: определение (нахождение в тексте, идентификация информации); управление (создание схемы для структурирования информации – внесения её в таблицы); интеграция (умение исключать несущественную информацию, умение сжато и логически грамотно изложить обобщённую информацию); создание (структурирование созданной информации с целью повышения убедительности выводов); сообщение (умение адаптировать информацию к аудитории).

2.     Развивать мотивацию изучения электротехники, используя разнообразные приемы.

3.     Формировать представления научного познания.

4.     Развивать логическое мышление, экспериментальные навыки, исследовательские умения.

ü Воспитательные:

1.     Отработать коммуникативные навыки.

2.     Формирование познавательной потребности, привычек оказывать помощь товарищам в учении и труде.

3.     Конструктивно критиковать доводы оппонентов.

4.     Развивать мотивации социального поведения.

Приобретаемые умения и навыки: умение работать с электрическими приборами, читать электрические схемы, быстро и правильно собирать электрические схемы.

Оборудование: транзистор p-n-p-типа; лампа 6,3 В, 0,3 А; резистор 330 Ом; переменный резистор 470 Ом; миллиамперметр постоянного тока; источник постоянного тока; соединительные провода – 10 шт.

ПЛАН УРОКА:

Этап урока	Цель	Время	Методы и приемы
Организационный момент	Положительный настрой на изучение темы	1 - 2 мин.	Рассказ
Мотивация и целеполагание	Сформулировать цели и задачи урока	1 - 2 мин	Рассказ. Записи в тетради. Мотивация на усвоение новой темы.
Актуализация знаний	Проверить исходный уровень знаний по пройденной теме. Объяснить новый материал.	15 - 20 мин	Блиц-опрос. Абстрагирование, моделирование, выделение главного. Мозговой штурм. Постановка проблемного вопроса.
Выполнение лабораторной работы.	Определить коэффициент усиления транзистора. 1. Порядок выполнения работы (согласно  инструкции). 2. Определение коэффициента усиления транзистора. 3. Выполнение практической части и расчетов. 4.            Вывод.	55 - 60 мин	Исследования, составление сравнительных таблиц, анализ, выделение главного.
Итоги урока	Закрепление материала.	2  - 3 мин	Беседа.
Домашняя работа	Инструкция по выполнению.	1 - 2 мин	Сообщение
Рефлексия	Самопроверка усвоения материала.	5 мин	Вопросы преподавателя.

ХОД УРОКА:

1.     Организационный момент.

Проведение инструктажа по технике безопасности при проведении лабораторной работы. В ходе работы вы будете получать накопительные баллы – за правильные ответы, за помощь отстающим; за выполнение лабораторной работы каждый получит балл отдельно.

2.      Мотивация и целепологание.

Преподаватель: (Рассказ преподавателя и вопросы сопровождаются показом схемы и ее элементов на учебной доске).

На сегодняшнем занятии мы будем выполнять лабораторно - практическую работу по определению коэффициента усиления транзистора.

Наша цель: с помощью набора для исследования тока в полупроводниках собрать электрическую схему и научиться определять коэффициент усиления транзистора.

Зная коэффициент усиления транзистора, мы можем говорить о его электрических свойствах и практическом применении.  Например...

Ответ:

·        Биполярные транзисторы применяют для усиления электрических сигналов.

·        Они являются усилительными и ключевыми приборами универсального назначения.

·        Биполярные транзисторы широко применяют в различных усилителях, генераторах, логических и импульсных устройствах.

3.       Актуализация знаний.

Преподаватель: На прошлом занятии вы познакомились с формулировкой и принципом работы биполярных транзисторов, изучили режимы работы и три схемы включения биполярных транзисторов, а так же их область применения. Сегодня мы расширим наши знания за пределы, установленные учебником и познакомиться с такой важной величиной, как коэффициент усиления биполярного транзистора.

Проведем блиц-опрос.

§  Дать определение биполярного транзистора.

§  Объяснить работу p-n-перехода.

§  Чем биполярный транзистор отличается от полупроводникового диода?

§  Как проверить исправность биполярного транзистора?

§  Пояснить схематическое изображение биполярного транзистора.

§  Рассказать о режимах работы биполярного транзистора.

§   Основные характеристики биполярного транзистора.

4.       Выполнение лабораторной работы.

Преподаватель: (Методические указания к работе и электрическая схема установки имеются на рабочей доске, а так же у каждого студента имеется инструкционная карта по выполнению данной работы).

Мы с вами будем проводить фронтальную лабораторную работу. Вам необходимо определить коэффициент усиления транзистора по предложенным методическим указаниям, предлагается провести исследование и сделать вывод. Затем ответить на контрольные вопросы и выполнить решение практических задач.

5.       Итог урока.

Преподаватель:

Чтобы создавать и применять различные полупроводниковые приборы, необходимо знать их параметры и статические характеристики. Сегодня вы практически определили коэффициент усиления транзистора и сделали свои выводы. Мы научились определять коэффициент усиления транзистора, оценивать погрешности в своей работе, сделали научные предположения о свойствах полупроводниковых транзисторов и практической направленности применения этих знаний. Студенты сдают лабораторные тетради.

6.       Домашнее задание.

Дома прочитать и разобрать § §43, 44; повторить §42 по учебнику «Электротехника и электроника» под редакцией А. Я. Шихина, а также ответить на вопросы после параграфов.

7.       Рефлексия.

Преподаватель:

·               Что заинтересовало вас сегодня на уроке более всего?

·                Как вы усвоили пройденный материал?

·                Какие были трудности?

·               Удалось ли их преодолеть?

·                Помог ли сегодняшний урок лучше разобраться в вопросах темы?

·                Пригодятся ли вам знания, полученные сегодня на уроке?

Приложения: приложения к уроку и методические указания к работе даются в презентации к уроку.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Лабораторно – практические работы в курсе «Электротехники и электроники» имеют большое образовательное и воспитательное значение. В процессе проведения опытов студенты убеждаются в объективности физических законов и получают представление о методах, применяемых в научных исследованиях по данной дисциплине. Выполнение лабораторно-практических работ способствует более глубокому усвоению учащимися физических законов, привитию умений и навыков в обращении с измерительными приборами, приучает сознательно применять знания в жизни. Лабораторно – практические работы играют важную роль в трудовом воспитании и политехническом образовании студентов. Правильно организованные лабораторно – практические занятия активизируют мысль учащихся, приучают их самостоятельно искать ответ на поставленный вопрос экспериментальным путем.

На лабораторно – практических занятиях решаются следующие учебные задачи:

·        Иллюстрация (подтверждение справедливости) изучаемых законов;

·        Овладение методами измерения физических величин;

·        Изучение связи между физическими величинами и установление закономерностей явлений;

·        Привитие умений пользования измерительными приборами;

·        Выработка умения чтения схем;

·        Развитие у студентов конструкторских способностей и технической смекалки;

·        Изучение устройства и принципа действия физических приборов.

Все перечисленные выше задачи были успешно решены на данном занятии, урок достиг поставленной цели.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Биполярные транзисторы

Общие сведения о биполярном транзисторе

Основные определения

Биполярным транзистором называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий в своей структуре два взаимодействующих p-n-перехода и три внешних вывода, и предназначенный, в частности, для усиления электрических сигналов. Термин “биполярный” подчеркивает тот факт, что принцип работы прибора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц, имеющих как положительный, так и отрицательный заряд - дырок и электронов. В дальнейшем для краткости будем его называть просто - транзистором.

  Структура транзистора, изготовленного по диффузионной технологии, приведена на рис .1. Как видно из рисунка, транзистор имеет три области полупроводника, называемые его электродами, причем две крайние области имеют одинаковый тип проводимости, а средняя область - противоположный. Структура транзистора, приведенная на рис.1, называется n-p-n-структурой. Электроды транзистора имеют внешние выводы, с помощью которых транзистор включается в электрическую схему. Одна из крайних областей транзистора, имеющая наименьшие размеры, называется эмиттером (Э). Она предназначена для создания сильного потока основных носителей заряда (в данном случае электронов), пронизывающего всю структуру прибора (см. рис.1). Другая крайняя область транзистора, называемая коллектором (К), предназначена для собирания потока носителей, эмиттируемых эмиттером. Поэтому коллектор имеет наибольшие размеры среди областей транзистора. Средняя область транзистора называется базой (Б). Она предназначена для управления потоком носителей, движущихся из эмиттера в коллектор. Для уменьшения потерь электронов на рекомбинацию с дырками в базе ее ширина W_Б делается очень маленькой ( W_Б<< L_n). Между электродами транзистора образуются p-n-переходы. Переход, разделяющий эмиттер и базу, называется эмиттерным переходом (ЭП), а переход, разделяющий базу и коллектор, - коллекторным переходом (КП). С учетом резкой асимметрии эмиттерного перехода (N _DЭ >>N _АБ) он характеризуется односторонней инжекцией: поток электронов, инжектируемых из эмиттера в базу, значительно превосходит встречный поток дырок, инжектируемых из базы в эмиттер.

Режимы работы транзистора

В зависимости от того, в каких состояниях находятся переходы транзистора, различают режимы его работы. Поскольку в транзисторе имеется два перехода (эмиттерный и коллекторный), и каждый из них может находиться в двух состояниях (открытом и закрытом), различают четыре режима работы транзистора. Основным режимом является активный режим, при котором эмиттерный переход находится в открытом состоянии, а коллекторный - в закрытом. Транзисторы, работающие в активном режиме, используются в усилительных схемах. Помимо активного , выделяют инверсный режим, при котором эмиттерный переход закрыт, а коллекторный - открыт, режим насыщения, при котором оба перехода открыты, и режим отсечки, при котором оба перехода закрыты.

Наряду с транзисторами n-p-n- структуры, существуют транзисторы с симметричной ей p-n-p-структурой, в которых используется поток дырок. Условные обозначения n-p-n- и p-n-p-транзисторов, используемые в электрических схемах, приведены на рис.2. Стрелка на выводе эмиттера показывает направление эмиттерного тока в активном режиме. Кружок, обозначающий корпус дискретного транзистора, в изображении бескорпусных транзисторов, входящих в состав интегральных микросхем, не используется. Принцип работы n-p-n- и p-n-p-транзисторов одинаков, а полярности напряжений между их электродами и направления токов в цепях электродов противоположны. В современной электронике наибольшее распространение получили транзисторы n-p-n-структуры, которые, благодаря более высоким значениям подвижности и коэффициента диффузии электронов по сравнению с дырками (m _n> m _p; D_n>D_p) , обладают большим усилением и меньшей инерционностью, чем транзисторы p-n-p- структуры. Поэтому ниже рассматриваются именно n-p-n- транзисторы.

Схемы включения биполярного транзистора

В большинстве электрических схем транзистор используется в качестве четырехполюсника, то есть устройства, имеющего два входных и два выходных вывода. Очевидно, что, поскольку транзистор имеет только три вывода, для его использования в качестве четырехполюсника необходимо один из выводов транзистора сделать общим для входной и выходной цепей. Соответственно различают три схемы включения транзистора: схемы с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). На рис.3 показаны полярности напряжений между электродами и направления токов, соответствующие активному режиму в указанных схемах включения транзистора. Следует отметить, что токи транзистора обозначаются одним индексом, соответствующим названию электрода, во внешней цепи которого протекает данный ток, а напряжения между электродами обозначаются двумя индексами, причем вторым указывается индекс, соответствующий названию общего электрода (см. рис.3).

В схеме с общей базой (см. рис.3,а) входной цепью является цепь

Рис.3.

эмиттера, а выходной - цепь коллектора. Схема ОБ наиболее проста для анализа, поскольку в ней каждое из внешних напряжений прикладывается к конкретному переходу: напряжение u_ЭБ прикладывается к эмиттерному переходу, а напряжение u_КБ - к коллекторному. Следует заметить, что падениями напряжений на областях эмиттера, базы и коллектора можно в первом приближении пренебречь, поскольку сопротивления этих областей значительно меньше сопротивлений переходов. Нетрудно убедиться, что приведенные на рисунке полярности напряжений (u_ЭБ<0; u_КБ>0) обеспечивают открытое состояние эмиттерного перехода и закрытое состояние коллекторного перехода, что соответствует активному режиму работы транзистора.

В схеме с общим эмиттером (см. рис.3,б) входной цепью является цепь базы, а выходной - цепь коллектора. В схеме ОЭ напряжение u_БЭ>0 прикладывается непосредственно к эмиттерному переходу и отпирает его. Напряжение u_КЭ распределяется между обоими переходами: u_КЭ = u_КБ + u_БЭ . Для того, чтобы коллекторный переход был закрыт, необходимо u_КБ = u_КЭ – u_БЭ > 0 , что обеспечивается при u_КЭ > u_БЭ > 0.

В схеме с общим коллектором (см. рис.3,в) входной цепью является цепь базы, а выходной - цепь эмиттера.

Принцип работы биполярного транзистора

Рассмотрим в первом приближении физические процессы, протекающие в транзисторе в активном режиме, и постараемся оценить, каким образом эти процессы позволяют усиливать электрические сигналы.

Рис.4.

Для простоты анализа будем использовать плоскую одномерную модель транзистора, представленную на рис.4. Эта модель предполагает, что p-n- переходы транзистора являются плоскими, и все физические величины в структуре, в частности, концентрации носителей заряда, зависят только от одной продольной координаты x , что соответствует бесконечным поперечным размерам структуры. С учетом того, что в реальной структуре транзистора (см. рис.1) ширина базы значительно меньше поперечных размеров переходов, плоская одномерная модель достаточно хорошо отражает процессы, протекающие в транзисторе. Рассмотрим вначале статическую ситуацию, при которой на переходы транзистора от внешних источников питания подаются постоянные напряжения u_ЭБ и u_КБ - см. рис. 4. Заметим, что приведенный на рисунке транзистор включен по схеме с общей базой. Напряжения u_ЭБ <0 и u_КБ >0 обеспечивают открытое состояние эмиттерного перехода и закрытое состояние коллекторного перехода, что соответствует активному режиму работы транзистора. Через открытый эмиттерный переход протекают основные носители заряда. Как уже отмечалось, из-за резкой асимметрии эмиттерного перехода инжекцию через него можно считать односторонней, то есть достаточно рассматривать только поток электронов, инжектируемых из эмиттера в базу - см. рис.4. Этот поток очень сильно зависит от напряжения на эмиттерном переходе u_ЭБ, экспоненциально возрастая с увеличением u_ЭБ . Инжектированные в базу электроны оказываются в ней избыточными (неравновесными) неосновными носителями заряда. Вследствие диффузии они движутся через базу к коллекторному переходу, частично рекомбинируя с основными носителями - дырками. Достигнувшие коллекторного перехода электроны экстрагируются полем закрытого коллекторного перехода в коллектор. В связи с тем, что в коллекторном переходе отсутствует потенциальный барьер для электронов, движущихся из базы в коллектор, этот поток в первом приближении не зависит от напряжения на коллекторном переходе u_КБ. Таким образом, в активном режиме всю структуру транзистора от эмиттера до коллектора пронизывает сквозной поток электронов, создающий во внешних цепях эмиттера и коллектора токи i_Э и i_К , направленные навстречу движению электронов. Важно подчеркнуть, что этот поток электронов и, соответственно, ток коллектора i_К, являющийся выходным током транзистора, очень эффективно управляются входным напряжением u_ЭБ и не зависят от выходного напряжения u_КБ. Эффективное управление выходным током с помощью входного напряжения составляет основу принципа работы биполярного транзистора и позволяет использовать транзистор для усиления электрических сигналов.

  Схема простейшего усилительного каскада на транзисторе, включенном по схеме ОБ, приведена на рис. 5. По сравнению со схемой, приведенной на рис. 4, в эмиттерную цепь введен источник переменного напряжения u_ЭБ- , а в коллекторную цепь включен нагрузочный резистор R_К. Переменное напряжение u_ЭБ- наряду с напряжением, подаваемым от источника питания, воздействует на сквозной поток электронов, движущихся

Рис.5.

из эмиттера в коллектор. В результате этого воздействия коллекторный ток приобретает переменную составляющую i_К– , которая благодаря очень высокой эффективности управления может быть значительной даже при очень маленькой величине u_ЭБ- . При протекании тока коллектора через нагрузочный резистор на нем выделяется напряжение, также имеющее переменную составляющую u_КБ- = i_К– R_К. Это выходное переменное напряжение при достаточно большом сопротивлении R_К может значительно превосходить величину входного переменного напряжения u_ЭБ- (u_КБ- >>u_ЭБ- ). Таким образом, транзистор, включенный по схеме ОБ, усиливает электрические сигналы по напряжению. Что касается усиления по току, то рассмотренная схема его не обеспечивает, поскольку входной и выходной токи примерно равны друг другу ( i_Э » i_К ).

Лабораторная работа №9:

«Определение коэффициента усиления транзистора».

Цель работы: научиться определять коэффициент усиления транзистора при его включении по схеме с общим эмиттером.

Оборудование: транзистор p-n-p-типа; лампа 6,3 В, 0,3 А; резистор 330 Ом; переменный резистор 470 Ом; миллиамперметр постоянного тока; источник постоянного тока; соединительные провода - 10 шт.

Ход работы.

1.                 Рассмотреть разные способы включения транзистора в цепь.

Транзистор имеет три вывода: базу, эмиттер, коллектор. В зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим для входных и выходных цепей, различают три возможных способа включения, приведённые на рис. 1: а) схема с общей базой, б) схема с общим эмиттером, в) схема с общим коллектором.

Рисунок 1.

2.                 Объяснить, что такое коэффициент усиления транзистора.

Широко распространено включение транзистора по схеме с общим эмиттером, которым мы пользуемся в демонстрационных опытах. При включении с общим эмиттером транзистор многократно усиливает и силу тока, и напряжение, а значит и мощность входного сигнала: Р=I∙U.

Усилительные свойства транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, характеризует так называемый статический коэффициент передачи тока (коэффициент усиления). Приближённо (весьма грубо) коэффициент усиления транзистора можно измерить как отношение коллекторного тока I_к базовому току I_б, т.е. по формуле: К=I_к/I_б.

3.     Составьте таблицу для занесения результатов эксперимента.

№ опыта	I6, мА	Iк, мА	к
1
2
3

4.        Соберите цепь по рис. 2, где ручку переменного резистора установите в нижнее по схеме положение. Включите цепь. Базовый ток отсутствует (миллиамперметр не показывает), лампа не горит.

 

Рисунок 2.

5.      Движением ручки переменного резистора силу базового тока установите 0,1 мА. Отключите цепь и миллиамперметр переставьте в коллекторную цепь (показано крестиком) для измерения коллекторного тока. Включите цепь и измерьте силу коллекторного тока.

6.      Повторите опыт пункта 5 при силе базового тока 0,2 мА и 0,3 мА.

7.      Для всех трёх случаев вычислите коэффициент усиления транзистора.

8.      Сделать вывод.

Контрольные вопросы.

1.                 Какими способами можно включать транзисторы в электрическую цепь?

2.                 Как можно приближённо вычислить коэффициент усиления при включении транзистора с общим эмиттером?

Задача №1.

Изменение напряжения в цепи эмиттера равно 0,0125 В, а изменение силы тока в той же цепи равно 0,5 мА. Вычислить входное сопротивление транзистора с общей базой.

Задача №2.

Напряжение на коллекторе полупроводникового триода равно 50 В, а мощность рассеивания на нем составляет 3 Вт. Определить силу тока в цепи коллектора.

Задача №3.

Коэффициент усиления по току триода, включенного по схеме с общим эмиттером, k_i = 5. Сопротивление нагрузки триода r_н = 2000 Ом, а сопротивление входа r_вх = 100 Ом. Определить коэффициент усиления триода по мощности.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ:

1.     Методика преподавания физики в средней школе.

 Пособие для учителя / А. В. Усова, В. П. Орехов, С. Е. Каменецкий.

2.     Методические рекомендации к набору для демонстраций электрического тока в полупроводниковых приборах.

3.     Современный урок в профессиональной школе. Хатунцева Л. И.: учебно – методическое пособие, Воронеж 2013. – 179с.

РЕЦЕНЗИЯ

на открытое занятие по дисциплине: «Электротехника и электроника»

Лабораторно – практическая работа:

«Определение коэффициента усиления транзистора»,

проведенное преподавателем электротехники

ГАЙСИНЮК М. Н.

По методической разработке Гайсинюк М.Н. было проведено открытое занятие 16 марта со студентами группы 168, на котором присутствовали преподаватели техникума - Зубарева С. А., Колобанова Е. В. и зав. отделением Шеховцова О. В.

Мероприятие подготовлено и проведено на высоком уровне, с высокой активностью учащихся, с использованием активных форм и методов обучения.

По времени занятие заняло 1 час 20мин.

Эстетическое оформление мероприятия было на должном уровне.

Кабинет, в котором проводилось занятие, был оформлен изречениями ученых, электрическими схемами, набором для демонстраций электрического тока в полупроводниковых приборах, формулами, цветами.

Подготовленное занятие вызвало активный интерес не только у тех, кто готовил и участвовал, но и у слушающей аудитории.

Проведенное занятие достигло поставленной цели. Данную методику можно использовать при подготовке лабораторно – практических работ по различным дисциплинам.

Преподаватель физики техникума ______________ Колобанова Е. В.

РЕЦЕНЗИЯ

на методическую разработку открытого урока преподавателя

 предметно - цикловой комиссии

метеорологических дисциплин

ГАЙСИНЮК МАРИНЫ НИКОЛАЕВНЫ.

Тема методической разработки: «Определение коэффициента усиления транзистора».

Данная методическая разработка полностью соответствует современным методическим требованиям.

Работа отвечает высокому теоретическому и профессиональному уровню преподавания дисциплины, соответствует требованиям методики обучения.

Разработка содержит: введение, план – конспект открытого урока-исследования, план урока, ход урока, заключение, приложение, список литературы, диск с презентацией занятия.

Методика проведения урока, его содержание, последовательность изложения и закрепления учебного материала соответствует требованиям образовательного процесса.

Методическая разработка помогает привить студентам любовь к электротехнике, выявить интересы и наклонности отдельных студентов, дать всем учащимся не только обязательный минимум практических и теоретических умений и навыков, но способствует более полному и углубленному изучению данного материала, развитию их умственных способностей.

В работе преподаватель использует активные методы обучения (активизация знаний, блиц – опрос, электрические схемы, формулы, набор полупроводниковых приборов, решение задач), которые способствуют свободному проявлению интеллектуальных способностей студентов и поддержанию их оптимального психологического настроя, а также могут быть использованы в процессе преподавания. Для более интенсивного ведения занятия предоставлен раздаточный материал (электротехнические приборы, инструкционные карты, задачи). Прослеживается межпредметная связь, отражающая системность информации. Отражение в сознании студентов этих связей делает знания более прочными, структурированными, гибкими и подвижными.

Значимой является и подготовка к проводимому занятию: работа студентов над поиском и отбором материала к занятию, повторением пройденного материала, а также оформление кабинета.

Совмещая познавательную и воспитательную функции данного занятия, данная методическая разработка достигает поставленных целей: способствует расширению кругозора студентов, их эрудированности, развитию творческих и познавательных интересов.

В разработке имеется теоретическое обоснование выбранной темы, прослеживается актуализация знаний по теме. Преподаватель владеет знаниями по дисциплине, при проведении занятия применяет нестандартные формы обучения.

Данная методическая разработка имеет практическую ценность для преподавателей и студентов и может быть использована в учебно -воспитательном процессе.

Преподаватель электротехники филиала РГГМУ в г. Туапсе, доцент,

кандидат военных наук ____________ /Голушко М. В./

Краткое описание документа:

Я предлагаю методическую разработку проведенного открытого лабораторно – практического занятия по теме: «Определение коэффициента усиления транзистора». Данный урок проводился в рамках мероприятий, посвященных Всемирному дню метеоролога.

Данная методическая разработка может послужить как одним из примеров проведения лабораторно – практических занятий.

Она имеет практическую ценность для преподавателей и студентов и может быть использована в учебно – воспитательном процессе.