Электронная техника. Промежуточная аттестация - Экзамен для специальности 25.02.03 (ТЭП)

МЕТОДИЧЕСКИЕ  РЕКОМЕНДАЦИИ  ДЛЯ   СТУДЕНТОВ	Ульяновский авиационный колледж
	ПРОФЕССИОНАЛЬНЫЙ ЦИКЛ
	ОП.02 ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА ОЦЕНОЧНЫЕ СРЕДСТВА для проведения промежуточной аттестации на специальности СПО базовой подготовки 162108 Техническая эксплуатация электрифицированных и пилотажно-навигационных комплексов Форма проведения оценочной процедуры – ЭКЗАМЕН Ульяновск  2016

ОДОБРЕНЫ на заседании ЦМК ЭРТД  дисциплин Протокол № 6 от 13  января 2016г. Председатель ЦМК: _________________ Ю.А. Просвирнов	УТВЕРЖДАЮ Зам. директора по учебной работе _______________ Г.В.Знаенко   «____ » _____________  2015 г.
РАЗРАБОТЧИК: Долгих Н.Л. преподаватель общеобразовательных дисциплин и профессиональных модулей ОГБОУ СПО  «Ульяновский авиационный колледж»

 

 

СОДЕРЖАНИЕ

			стр.
I  ПАСПОРТ КОМПЛЕКТА ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ
1.1	Контроль и оценка результатов освоения учебной дисциплины……………..		4
1.2	Предмет и объект оценивания ……………………………………………………		6
1.3	Организация контроля и оценки освоения программы………………………...		6
II  КОМПЛЕКТ ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ
2.1		Структура экзаменационного билета……………………………………………	7
2.2		Задания для подготовки студентов  к экзамену…………………………….	8
2.3		Критерии оценивания заданий………………………………………………….	9
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ………………………………….....			11

I. ПАСПОРТ КОМПЛЕКТА ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ

1.1. Контроль и оценка результатов освоения учебной дисциплины

Результаты обучения (освоенные умения, усвоенные знания)

УМЕНИЯ

У 1. Определять параметры полупроводниковых приборов по их вольтамперным характеристикам.

У 2. Определять тип и функциональное назначение интегральных микросхем по их условному обозначению.

У3. Составлять принципиальные электрические схемы полупроводниковых выпрямителей, определять выпрямленное значение  напряжения и тока.

У4. Составлять принципиальные электрические схемы простейших усилителей на транзисторе и производить их расчет.

ЗНАНИЯ

З1. Физические основы работы, классификацию, область применения, характеристики и основные параметры полупроводниковых приборов и область их применения.

З 2. Классификацию и параметры интегральных микросхем.

З3. Принципы усиления сигналов усилителем на транзисторе.

ОБЩИЕ КОМПЕТЕНЦИИ

ОК 2 Организовывать собственную деятельность, выбирать типовые методы и способы выполнения профессиональных задач, оценивать их эффективность и качество

ОК 3 Принимать решения в стандартных и нестандартных ситуациях и нести за них ответственность

ОК 4 Осуществлять поиск и использование информации, необходимой для эффективного выполнения профессиональных задач, профессионального и личностного развития

ПРОФЕССИОНАЛЬНЫЕ КОМПЕТЕНЦИИ

ПК 1.2 Эффективно использовать основное и вспомогательное оборудование и материалы.

ПК 1.12 Осуществлять наладку, настройку, регулировку и опытную проверку оборудования и систем в лабораторных условиях и на объектах.

ПК 1.13 Проводить подключение приборов, регистрацию необходимых характеристик и параметров и обработку  полученных результатов.

ПК 1.15 Обеспечить соблюдение техники безопасности на производственном участке.

ПК 1.16 Осуществить контроль качества  выполняемых работ.

1.2.Предмет и объект оценивания

Предмет оценивания	Объект оценивания
З 1, З 2, З3, У 1, У 2,У3, У4	Вопрос 1. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
З 1, У 1, ПК 1.2, ПК 1.12, ПК 1.13, ПК 1.15, ПК 1.16	Вопрос 2. ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ Выполнение заданий и решение задач по тематике разделов: Раздел 1.Электронные элементы и физические основы их работы.
З 2, З 3, У 2, У 3, У4 ПК 1.2, ПК 1.12, ПК 1.13, ПК 1.15, ПК 1.16	Вопрос 3. ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ Выполнение заданий и решение задач по тематике разделов: Раздел 2. Электронные усилители. Выпрямители. Раздел 3.  Логические устройства. Микросхемы.

1.3.Организация контроля и оценки освоения программы учебной дисциплины

Форма итогового контроля	Критерии положительной аттестации
ЭКЗАМЕН	Условием допуска к промежуточной аттестации является положительная текущая аттестация. Экзаменационная отметка выставляется исходя  из демонстрации освоенных  умений, знаний и компетенций  по контролируемым показателям.

II. КОМПЛЕКТ ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ

2.1.Структура экзаменационного  билета

Ø ЦЕЛЬ: проверить уровень сформированности  образовательных результатов обучающихся по учебной дисциплине

Ø ПРОВЕРЯЕМЫЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ: У1,У2, У3,У4, З1,З2, З3,  ОК2-4 ,

ПК 1.2, ПК 1.2, ПК1.12,  ПК1.13, ПК1.15, ПК 1.16.

Ø СТРУКТУРА ИНДИВИДУАЛЬНОГО ЭКЗАМЕНАЦИОННОГО  БИЛЕТА

№ вопроса	Задание	К-во	Вопросы формируются из №№ заданий
1	ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ	1	1.1 – 1.28
2	ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ 1	1	2.1 – 2.25
3	ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ 2	1	3.1 - 3.27

ОБОРУДОВАНИЕ:  письменные принадлежности, линейка, калькулятор.

Ø  ВРЕМЯ ДЛЯ ПОДГОТОВКИ: 40 мин.

Ø  ОЦЕНИВАНИЕ: 1 вопрос  -5 баллов;

2 вопрос - 5 баллов;

3 вопрос - 5 баллов

Ø  КРИТЕРИИ ОТМЕТОК: «5» ³ 81%     правильных ответов (³13 баллов за 3 вопроса);

«4» = 61– 80%  правильных ответов (от 10 до 12 баллов за 3 вопроса);

«3» = 39 – 60% правильных ответов (от 6 до 9 баллов за 3 вопроса);

«2» < 39%         правильных ответов (менее 6 баллов за 3 вопроса).

ПРИМЕЧАНИЕ:

1.    Необходимые эскизы, схемы и графики могут быть выполнены от руки без соблюдения масштаба, но при этом условные графические обозначения должны соответствовать требованиям ЕСКД.

2.  Не разрешается выходить из аудитории.

3.  Отметка ставится только на основании правильных ответов; за  ошибочные ответы баллы не снимаются.

2.2.Задания для подготовки к экзамену

Вопрос 1. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

1.1       Физические основы явлений в полупроводниках.  Свойства и применение  полупроводников чистых и примесных.

1.2       Свойства электронно-дырочного перехода. ВАХ перехода.

1.3       ВАХ перехода. Виды пробоя электронно-дырочного перехода.

1.4       Выпрямительные диоды. Конструктивное исполнение, свойства, ВАХ.

1.5       Стабилитроны. Конструктивное исполнение, свойства. ВАХ. Стабисторы.

1.6       Варикапы. Назначение, свойства, УГО, зависимость С = f (U).

1.7       Маркировка полупроводниковых диодов.

1.8       Устройство биполярных транзисторов, особенности изготовления, свойства. УГО.

1.9       Принцип работы биполярного транзистора.

1.10      Включение транзистора с общей базой. Схема смещения переходов. Основные показатели.

1.11      Включение транзистора с общим эмиттером. Схема смещения переходов. Основные показатели.

1.12      Включение транзистора с общим коллектором. Схема смещения переходов. Основные показатели.

1.13      Статические характеристики биполярных транзисторов.

1.14      Канальные полевые транзисторы ( с  р-п переходом). Конструкция, принцип действия, УГО.

1.15      Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом. Принцип действия.

1.16      Классификация аналоговых усилителей.

1.17      Основные параметры аналоговых усилителей.

1.18      Основные характеристики аналоговых усилителей.

1.19      Операционные усилители. Свойства идеального и реального усилителей. Понятия о синфазном сигнале и дифференциальном напряжении.

1.20      Передаточная характеристика операционного усилителя. Напряжение смещения, меры по устранению дрейфа нуля.

1.21      Влияние отрицательной обратной связи на основные характеристики усилителей.

1.22      Дифференциальные усилители. Принципиальная схема. Основные свойства.

1.23      Характеристики и параметры операционного усилителя (на примере Lm 741).

1.24      Элементы конструкции полупроводниковых микросхем, элементы и компоненты.

1.25      Классификация микросхем. Микросхемы пленочные, полупроводниковые, гибридные.

1.26      Понятия о логических элементах и устройствах. Логический элемент «И» (таблица истинности, схема реализации на полупроводниковых элементах).

1.27      Понятия о логических элементах и устройствах. Логический элемент «НЕ» (таблица истинности, схема реализации на полупроводниковых элементах).

1.28      Понятия о логических элементах и устройствах. Логический элемент «ИЛИ» (таблица истинности, схема реализации на полупроводниковых элементах).

Вопросы 2.  ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

Тема 1.1. Свойства полупроводниковых материалов. Диоды.

2.1         Разработка электрической схемы для снятия ВАХ маломощного диода (Д9). Нарисуйте вид характеристики и поясните, каким образом по ней можно определить параметры диода.

2.2         Нарисуйте условное графическое изображение и буквенное обозначение в схеме выпрямительного диода, стабилитрона. Укажите полярность их рабочего включения.

2.3         Нарисуйте условное графическое изображение и буквенное обозначение в схеме выпрямительного варикапа, стабистора. Укажите полярность их рабочего включения

2.4         Расшифруйте обозначение полупроводникового устройства ГД412А.

2.5         Расшифруйте обозначение полупроводникового устройства ГД507А.

2.6         Расшифруйте обозначение полупроводникового устройства КС196А.

2.7         Поясните содержание маркировки полупроводниковых диодов согласно ГОСТ 108-62-72.

2.8         Разработайте электрическую схему для снятия ВАХ маломощного стабилитрона. Нарисуйте вид характеристики и поясните, каким образом по ней можно определить основные параметры.

2.9         Разработайте электрическую схему для снятия статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Нарисуйте семейство входных и выходных характеристик и поясните способ определения R_ВХ  и R_ВЫХ .

2.10     Нарисуйте вольтамперную характеристику электронно-дырочного перехода, укажите на ней области электрического и теплового пробоя.

2.11     Нарисуйте структурную схему p-n перехода, включенного в прямом смещении. Укажите полярность внешнего источника, направление тока, свойства, название перехода.

2.12     Нарисуйте структурную схему p-n перехода, включенного в обратном смещении. Укажите полярность внешнего источника, направление тока, свойства, название перехода.

2.13     Нарисуйте вольтамперную характеристику полупроводникового диода. Поясните механизмы возникновения электрического и теплового пробоя.

2.14     Нарисуйте УГО и вольтамперную характеристику стабилитрона. Укажите на ВАХ  рабочую область, перечислите основные параметры.

Тема 1.2. Транзисторы.

2.15     Нарисуйте схему включения транзистора с общей базой на нагрузку. Назовите основные показатели усилителя, расставьте полярность источников питания и направления токов.

2.16     Нарисуйте схему включения биполярного транзистора, которая дает максимальное увеличение мощности сигнала. Укажите достоинства и недостатки схемы.

2.17     Нарисуйте схему включения биполярного транзистора, которая имеет лучшие частотные характеристики. Укажите достоинства и недостатки схемы.

2.18     Нарисуйте схему включения биполярного транзистора, которая обеспечивает максимальное входное сопротивление. Укажите достоинства и недостатки схемы.

2.19     Нарисуйте схему включения транзистора с общим эмиттером на нагрузку. Назовите основные показатели усилителя, расставьте полярность источников питания и направления токов.

2.20     Нарисуйте схему включения транзистора с общим коллектором на нагрузку. Назовите основные показатели усилителя, расставьте полярность источников питания и направления токов.

2.21     Нарисуйте условное графическое изображение полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом p-типа проводимости. Поясните устройство, возможности его работы в режимах обеднения и обогащения.

2.22     Нарисуйте условное графическое изображение полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа проводимости. Поясните устройство, возможности его работы в режимах обеднения и обогащения.

2.23     Нарисуйте условное графическое изображение полевого транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом p-типа проводимости. Поясните устройство, возможности его работы в режимах обеднения и обогащения.

2.24     Нарисуйте условное графическое изображение полевого транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа проводимости. Поясните устройство, возможности его работы в режимах обеднения и обогащения.

2.25     Поясните, почему входное сопротивление полевого транзистора со встроенным каналом остается большим при любой полярности поданного на вход напряжения.

Вопросы 3.  ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

Тема 2.1. Аналоговые усилители. Операционные усилители.

3.1    Нарисуйте амплитудно-частотную характеристику усилителя низкой частоты, укажите на ней коэффициент усиления, полосу пропускания и ее диапазон.

3.2      Нарисуйте амплитудно-частотную характеристику усилителя постоянного тока, укажите на ней коэффициент усиления, полосу пропускания и ее диапазон.

3.3      Нарисуйте амплитудно-частотную характеристику усилителя низкой частоты, укажите на ней коэффициент усиления, полосу пропускания и ее диапазон.

3.4      Нарисуйте амплитудную характеристику усилителя низкой частоты, укажите на ней рабочий участок усиления и характеризующие его параметры.

3.5      Нарисуйте фазочастотную характеристику усилителя низкой частоты, укажите на ней полосу пропускания.

3.6      Начертите структурную схему усилительного устройства. Перечислите основные требования к усилителю.

3.7      Назовите преимущества схемы усиления при введении отрицательной обратной связи.

3.8     Определите К_U усилителя, если через нагрузку 100 Ом проходит ток 0,1 А, а входное напряжение усилителя 0,2 В.

3.9     Определите выходную мощность усилителя, если  К_I =50,  R_ВЫХ =1кОм ,I_ВХ = 0,02 А.

3.10 Рассчитайте коэффициент усиления в усилителе по напряжению К_U, если известны следующие параметры: U_ВХ  = 0,04 В,   Р_ВЫХ =2 Вт,  I_ВЫХ =  500 mА. 

3.11 Определите выходную мощность усилителя, если  К_I =50,  R_ВЫХ =100 Ом, I_ВХ =0,02mА.

3.12 Определите коэффициент усиления по напряжению (К_U) усилителя, если через нагрузку 100 Ом проходит ток 0,1 А, а входное напряжение усилителя 0,2 В.

3.13 Определите постоянную составляющую выходного напряжения неинвертирующего усилителя на ОУ при напряжении смещения 1mВ и коэффициенте усиления схемы 200.

3.14 Определите средний входной ток, если на инвертирующий вход  ОУ подается 0.7 mА, на   не инвертирующий – 0.9 mА.

3.15 Вычислите напряжение смещения ОУ, если его коэффициент усиления 100, а выходное напряжение 1В.

3.16 Нарисуйте электрическую схему дифференцирующего усилителя (на базе ОУ) и напишите математическую зависимость между входным и выходным напряжениями.

3.17 Нарисуйте электрическую схему инвертирующего усилителя (на базе ОУ) и напишите математическую зависимость между входным и выходным напряжениями.

3.18 Нарисуйте электрическую схему неинвертирующего усилителя (на базе ОУ) и напишите математическую зависимость между входным и выходным напряжениями.

3.19 Нарисуйте электрическую схему интегрирующего усилителя (на базе ОУ) и напишите математическую зависимость между входным и выходным напряжениями.

3.20  Нарисуйте электрическую схему сумматора напряжений (на базе ОУ) и напишите математическую зависимость между входным и выходным напряжениями.

3.21 Нарисуйте электрическую схему интегрирующего усилителя (на базе ОУ) и напишите математическую зависимость между входным и выходным напряжениями.

3.22 Рассчитайте напряжение смещения операционного усилителя, если выходное напряжение при отсутствии напряжения на входе составляет 0,5 В, коэффициент усиления 200.

Тема 2.2. Выпрямители

3.23 Рассчитайте коэффициент пульсаций выпрямленного напряжения, если на выходе двухполупериодного выпрямителя  изменение выходного напряжения 2В, а среднее значение выходного напряжения - 4В.

3.24 Изобразите мостовую схему однофазного выпрямителя на диодах без фильтров, временные зависимости входного и выходного напряжения. Укажите основные параметры этого выпрямителя.

3.25Изобразите функциональную схему выпрямителя. Поясните по ней принцип действия и перечислите основные параметры выпрямителя.

3.26 Рассчитайте коэффициент пульсаций напряжения на выходе двухполупериодного выпрямителя, если U_{2 max}  = 5В, а U_{2 min} =2В . Нарисуйте любую схему, реализующую принцип двухполупериодного выпрямления.

3.27Изобразите схему однофазного выпрямителя со средней точкой от трансформатора на диодах с простым фильтром из одного конденсатора, временные зависимости входного и выходного напряжения.

2.3. Критерии оценивания выполнения заданий.

2.3.1. Теоретические задания.

Ответ оценивается отметкой «5»,  если студент:

ü  полно раскрыл содержание материала в объеме, предусмотренном рабочей программой,

ü  изложил материал грамотным языком в определенной логической последовательности, точно используя технические термины, используя буквенные и условно графические обозначения элементов соответствии с ЕСКД. правильно выполнил рисунки, чертежи, графики, сопутствующие ответу;

ü  отвечал самостоятельно без наводящих вопросов преподавателя. Возможны одна - две неточности при освещении второстепенных вопросов или в выкладках, которые студент легко исправил по замечанию преподавателя.

Ответ оценивается отметкой «4», если он удовлетворяет в основном требованиям на оценку «5», но при этом имеет один из недостатков:

ü  в изложении допущены небольшие пробелы, не исказившие сути содержания ответа;

ü  допущены один – два недочета при освещении основного содержания ответа, исправленные по замечанию преподавателя;

ü  допущены ошибка или более двух недочетов при освещении второстепенных вопросов или в выкладках, легко исправленные по замечанию преподавателя.

Отметка «3» ставится в следующих случаях:

ü  неполно или непоследовательно раскрыто содержание материала, но показано общее понимание вопроса;

ü  имелись затруднения или допущены ошибки в определении понятий, использовании  терминологии, чертежах, схемах, характеристиках, исправленные после нескольких наводящих вопросов преподавателя;

ü  при знании теоретического материала выявлена недостаточная сформированность основных умений и навыков.

Отметка «2» ставится в следующих случаях:

ü  не раскрыто основное содержание учебного материала;

ü  обнаружено незнание или непонимание студентом большей или наиболее важной части учебного материала;

ü  допущены ошибки в определении понятий, при использовании терминологии, в схемах, чертежах или графиках, в выкладках, которые не исправлены после нескольких наводящих вопросов преподавателя.

Отметка «1» ставится в следующих случаях:

ü имеется общее понятие о назначении, использовании приборов и устройств электронной техники.

Отметка «0» ставится, если:

ü студент обнаружил полное незнание и непонимание изучаемого учебного материала или не смог ответить ни на один из по­ставленных вопросов по изучаемому материалу.

Вопрос 2 .ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ (max 5 баллов)

Ø 5  баллов ставится если студент:

ü полностью выполнил все требования  индивидуального задания;

ü отвечал самостоятельно без наводящих вопросов преподавателя. Возможны одна - две неточности при освещении второстепенных вопросов или в выкладках, которые студент легко исправил по замечанию преподавателя.

Ø 4 балла ставится если ответ удовлетворяет  основным требованиям, но при этом имеет один из недостатков:

ü в выполнении допущены небольшие неточности, не исказившие решение задания;

ü допущены один – два недочета при освещении основного содержания ответа, исправленные по замечанию преподавателя;

ü допущены ошибка или более двух недочетов при освещении второстепенных вопросов или в выкладках, легко исправленные по замечанию преподавателя.

Ø 3 балла ставится в следующих случаях:

ü допущены неточности в выполнении индивидуального задания, но показано общее понимание вопроса;

ü имелись затруднения или допущены ошибки в выполнении индивидуального задания, но осуществлены значительные  исправления после нескольких наводящих вопросов преподавателя;

Ø 1-2 балла ставится в следующих случаях:

ü не в полном объеме решена поставленная задача;

ü обнаружено значительные отклонения в выполнении индивидуального задания;

ü после нескольких замечаний преподавателя не исправлены неточности в выполнении индивидуального задания.

Ø 0 баллов ставится, если:

ü студент обнаружил полное незнание и непонимание изучаемого учебного материала или не смог выполнить задание.

Вопрос 3 .ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ . (max 5 баллов)

Оценивается аналогично вопросу 2.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

ОСНОВНЫЕ ИСТОЧНИКИ:

1. Берикашвили В.Ш.Основы электроники (1-е изд.) учебник. /В.Ш. Берикашвили - М.: ОИЦ «Академия», 2013, 208 с.

2. Берикашвили В.Ш.Электронная техника (5-е изд., перераб.) учеб. Пособие/ В.Ш. Берикашвили - М.: ОИЦ «Академия», 2009, 336 с.

3. Горошков Б.И.Электронная техника (5-е изд., стер.) учеб. пособие /Б.И. Горошков,.- М.: ОИЦ «Академия», 2012, 320 с.

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ИСТОЧНИКИ:

4. Туревский, И.С. Электротехника с основами электроники. Учебное пособие. Гриф МОРФ./ И.С. Туревский. –М. : Издательство форум, серия Проф. образование, 2012, – 448с.

СТАНДАРТЫ ПО ПРОФИЛЮ ДИСЦИПЛИНЫ

5. ГОСТ 16 133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения  – М. : Изд-во стандартов, 1977.

6. ГОСТ 2.730-73  Условные графические обозначения полупроводниковых приборов.  – М. : Изд-во стандартов, 1973

7. ГОСТ 20 004-74 Диоды полупроводниковые. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения.  – М. : Изд-во стандартов, 1974.

8. ГОСТ 2О 003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения.– М. : Изд-во стандартов, 1974.

9. ГОСТ 19 095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения.– М. : Изд-во стандартов, 1973

10. ГОСТ 19 652-74 Фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, Фотоэлектрические параметры и характеристики. Термины, определения и буквенные обозначения. – М. : Изд-во стандартов, 1974.

11. ГОСТ 20 332-74 Тиристоры. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения. – М. : Изд-во стандартов, 1974.

12. ГОСТ 19 789-80 Микросхемы интегральные аналоговые. Основные параметры.– М. : Изд-во стандартов, 1980.

13. ГОСТ 5 0094-80 Классификация радиоэлектронных измерительных приборов.– М. : Изд-во стандартов, 1980.

ИНТЕРНЕТ РЕСУРСЫ

14.  spinter/ru>books/1763822/html

1) Ю. М. Иньков Электротехника и электроника. Учебник для студентов учреждений СПО, 9 издание. /  Ю. М. Иньков,А.В. Крашенинников, А.Б. Петленко,-М.: Академия, 2013,

  368 с.

2) Мартынова И.О. Основы электроники. Учебник для студентов учреждений СПО

/ И.О. Мартынова- М.: Академия-Медиа, 2013.