Для всех учителей из 37 347 образовательных учреждений по всей стране

Скидка до 75% на все 778 курсов

Выбрать курс
Получите деньги за публикацию своих
разработок в библиотеке «Инфоурок»
Добавить авторскую разработку
и получить бесплатное свидетельство о размещении материала на сайте infourok.ru
Инфоурок Другое ПрезентацииПрезентация на тему "Интегральные микросхемы"

Презентация на тему "Интегральные микросхемы"

библиотека
материалов
ТЕМА 7.3. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ.

Описание презентации по отдельным слайдам:

1 слайд ТЕМА 7.3. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ.
Описание слайда:

ТЕМА 7.3. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ.

2 слайд ВОПРОСЫ: 1. Гибридные интегральные микросхемы. 2. Полупроводниковые интеграль
Описание слайда:

ВОПРОСЫ: 1. Гибридные интегральные микросхемы. 2. Полупроводниковые интегральных микросхемы. 3. Параметры интегральных микросхем. 4. Классификация интегральных микросхем по функциональному назначению и система их обозначений. 5. Маркировка микросхем.

3 слайд 1. ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Развитие электроники определяется постоя
Описание слайда:

1. ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Развитие электроники определяется постоянным совершенствованием характеристик элементной базы и аппаратуры по следующим направлениям: уменьшение габаритов и массы (миниатюризация); повышение надежности за счет сокращения соединительных линий, совершенствования контактных узлов и взаимного резервирования элементов; уменьшение потребляемой мощности; усложнение задач и соответствующих им схемных решений при одновременном удешевлении каждого отдельного элемента. Существенные изменения в полупроводниковой технике связаны, во-первых, с переходом к интегральным микросхемам (ИМС) и, во-вторых, с переходом к большим интегральным схе­мам (БИС).

4 слайд Интегральной называют микросхему с определенным функциональным назначением, и
Описание слайда:

Интегральной называют микросхему с определенным функциональным назначением, изготовляемую не сборкой и распайкой отдельных активных и пассивных элементов, а целиком, в едином технологическом процессе. Примерами интегральных схем могут служить усилители различных сигналов, логические схемы вычислительной техники, генераторы синусоидальных, импульсных или пилообразных напряжений, триггеры, изготовленные как единое целое в объеме одного полупроводникового кристалла или в тонких пленках. Эти схемы обычно дополняют навесными компонентами.

5 слайд К пассивным элементам электронных схем относят резисторы, конденсаторы, индук
Описание слайда:

К пассивным элементам электронных схем относят резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки, трансформаторы, к активным — диоды, транзисторы, тиристоры и др. Интегральные микросхемы содержат десятки и сотни пассивных и активных элементов. Показатель степени сложности микросхемы характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов.(видео) Большие интегральные схемы также изготовляют в объеме одного кристалла. Они характеризуются большей сложностью и служат в качестве отдельных блоков электронной аппаратуры, например запоминающего устройства, процессора и т. д. Степень и характер интеграции элементов микросхем определяются прежде всего уровнем технологии.

6 слайд Технология гибридных интегральных микросхем базируется на использовании толст
Описание слайда:

Технология гибридных интегральных микросхем базируется на использовании толстых и тонких пленок, нанесенных на керамическое основание. Пленки изготовляются из специальных паст.

7 слайд Пассивные элементы формируются в пленке, а активные в виде миниатюрных бескор
Описание слайда:

Пассивные элементы формируются в пленке, а активные в виде миниатюрных бескорпусных полупроводниковых приборов размещаются над пленкой и соединяются с пленочными элементами продольными выводами Навесными могут изготовляться также и некоторые пассивные элементы: конденсаторы относительно большой емкости, индуктивные катушки, трансформаторы. При создании схемы на круглую или квадратную подложку по специальной технологии наносят различные пленки, из которых формируются резисторы, конденсаторы, соединительные линии и контактные площадки.

8 слайд Навесные элементы располагают на подложке или над подложкой. Иногда их помеща
Описание слайда:

Навесные элементы располагают на подложке или над подложкой. Иногда их помещают в углублениях подложки или в сквозных окнах и заливают эпоксидной смолой. Размеры навесных элементов выбирают возможно минимальными. Диоды и транзисторы обычно изготовляют в виде кристаллов объемом около 1 мм3. Важную роль в обеспечении надежности микросхемы и снижения ее собственных шумов играет качество контактных соединений. Для получения хорошего контакта широко применяют лазерную технику, термокомпрессию, ультразвуковую сварку.

9 слайд Контакты навесных элементов изготовляют в виде тонких проволок, балок или шар
Описание слайда:

Контакты навесных элементов изготовляют в виде тонких проволок, балок или шариков. Для проволочных контактов (рис)применяют золотую или позолоченную медную проволоку диаметром в несколько десятков микрометров. Балочные контакты имеют вид плоских консолей длиной 100 мкм. Жесткие шариковые и балочные контакты удобны при автоматизации процесса сборки и пайки схемы.

10 слайд Наибольшие технологические сложности возникают при изготовлении индуктивных к
Описание слайда:

Наибольшие технологические сложности возникают при изготовлении индуктивных катушек и трансформаторов. Поэтому микросхемы стремятся проектировать так, чтобы они содержали минимум таких элементов. В случае необходимости микроиндуктивности могут быть сформированы из пленки, а элементы с относительно повышенной индуктивностью — в виде навесных катушек. Таким катушкам часто придают плоскую форму, а сердечники их делают разомкнутыми. Материалом для сердечника обычно служат ферриты и карбонильное железо. Добротность пленочных индуктивных катушек невелика. У навесных катушек она достигает десятков единиц.

11 слайд Собранную гибридную микросхему заключают в металлический или пластмассовый ко
Описание слайда:

Собранную гибридную микросхему заключают в металлический или пластмассовый корпус, изолирующий ее от внешних воздействий (влаги, пыли и др.). Размеры корпуса составляют единицы или десятки миллиметров. Контактные выводы размещают в определенном порядке, а корпус нередко имеет срез или выступ для обеспечения ориентировки при монтаже.

12 слайд 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМЫ. Полупроводниковые интегральные
Описание слайда:

2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМЫ. Полупроводниковые интегральные микросхемы изготовляют на одном кристалле введением легирующих примесей в определенные микрообласти. Современные технологии позволяют создавать в приповерхностном объеме кристалла весь набор активных и пассивных элементов, а также межэлементные соединения в соответствии с топологией схемы. В качестве активных элементов ИМС наряду с биполярными широко применяются транзисторы типа МДП. МДП-транзисторы проще в изготовлении, дают больший процент выхода годных изделий, позволяют получить более высокую плотность размещения приборов, потребляют меньшую мощность, дешевле биполярных.

13 слайд Однако у микросхем на основе МДП-транзисторов есть существенный недостаток —
Описание слайда:

Однако у микросхем на основе МДП-транзисторов есть существенный недостаток — сравнительно высокая инерционность. Поэтому там, где требуется высокое быстродействие, в частности в электронных вычислительных машинах, предпочтение отдают ИМС на биполярных транзисторах. Один из важных критериев оценки ИМС, характеризующий уровень интеграции,— это отношение числа р-n-р-переходов к числу внешних выводов (вентиль/контакт). Чем больше это отношение и чем меньше потребляемая мощность (лучше условия теплоотдачи), тем надежнее электронные блоки на базе микросхем (сравнивать следует блоки одинаковой функциональной сложности). У простых логических схем это отношение меньше единицы. С повышением сложности ИМС отношение вентиль/контакт достигает десяти и более.

14 слайд Основой полупроводниковых интегральных микросхем чаще всего служит кремний. Н
Описание слайда:

Основой полупроводниковых интегральных микросхем чаще всего служит кремний. На одной пластинке кремния диаметром 75 мм и толщиной 0,2 мм можно сформировать до 10 000 полупроводниковых ИМС. Широкое применение кремния для производства полупроводниковых ИМС обусловлено прежде всего способностью кремния сохранять полупроводниковые свойства при относительно высоких температурах (до 400 К).

15 слайд Существенным является и то, что при нагревании пластины кремния в кислородной
Описание слайда:

Существенным является и то, что при нагревании пластины кремния в кислородной среде на ее поверхности образуется пленка SiO2. Она защищает кристалл и сформированные в нем миниобласти с заданным типом электропроводности от загрязнений, из нее формируется маска для локальной диффузии примесей, она может выполнять роль диэлектрика в схеме. ИМС в отполированной пластине кремния изготовляют групповым методом: тысячи одинаковых схем формируют одновременно. Затем в пластине алмазным резцом делают насечки по границам схем и разламывают ее на кристаллики. Полученные заготовки снабжают внешними выводами, герметизируют, помещают в корпуса и оформляют в виде серийных электронных приборов.

16 слайд Групповая обработка обеспечивает высокую стандартизацию и экономичность произ
Описание слайда:

Групповая обработка обеспечивает высокую стандартизацию и экономичность производства. Возможность серийного производства ИМС была подготовлена созданием и совершенствованием планарно-эпитаксиальной технологии.

17 слайд 3. ПАРАМЕТРЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ИМС работают при весьма малых токах (дес
Описание слайда:

3. ПАРАМЕТРЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ИМС работают при весьма малых токах (десятые доли микроампера), и перегрузка их цепей недопустима

18 слайд
Описание слайда:

19 слайд
Описание слайда:

20 слайд
Описание слайда:

21 слайд 4. КЛАССИФИКАЦИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПО ФУНКЦИОНАЛЬНОМУ НАЗНАЧЕНИЮ И СИСТЕ
Описание слайда:

4. КЛАССИФИКАЦИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПО ФУНКЦИОНАЛЬНОМУ НАЗНАЧЕНИЮ И СИСТЕМА ИХ ОБОЗНАЧЕНИЙ.

22 слайд 5. МАРКИРОВКА МИКРОСХЕМ. Согласно с принятой системой обозначений, маркировка
Описание слайда:

5. МАРКИРОВКА МИКРОСХЕМ. Согласно с принятой системой обозначений, маркировка ИМС состоит из нескольких элементов, от четырех до шести.

23 слайд
Описание слайда:

24 слайд 2 элемент: цифрами 1, 5, 7 обозначаются полупроводниковые ИМС, цифрами 2, 4,
Описание слайда:

2 элемент: цифрами 1, 5, 7 обозначаются полупроводниковые ИМС, цифрами 2, 4, 6, 8 — гибридные.

25 слайд ДОМАШНЯЯ РАБОТА Опишите толстопленочные и тонкопленочные микросхемы, а также
Описание слайда:

ДОМАШНЯЯ РАБОТА Опишите толстопленочные и тонкопленочные микросхемы, а также процесс фотолитографии. Общая электротехника с основами электроники. И.А. Данилов, П.М. Иванов. §§21.3-21.5

26 слайд В маркировке ИМС после буквы К стоит четная цифра. Укажите разновидность микр
Описание слайда:

В маркировке ИМС после буквы К стоит четная цифра. Укажите разновидность микросхемы? В маркировке ИМС после буквы К стоит цифра 1. Укажите разновидность микросхемы В каких областях техники применение ИМС особенно эффективно?

27 слайд Опишите планарно-эпитаксиальную технологию изготовления ИМС, а также применен
Описание слайда:

Опишите планарно-эпитаксиальную технологию изготовления ИМС, а также применение интегральных микросхем. Общая электротехника с основами электроники. И.А. Данилов, П.М. Иванов. §§21.7,21.9

Курс профессиональной переподготовки
Педагог-библиотекарь
Курс повышения квалификации
Курс профессиональной переподготовки
Специалист в области охраны труда
Найдите материал к любому уроку,
указав свой предмет (категорию), класс, учебник и тему:
также Вы можете выбрать тип материала:
Общая информация

Вам будут интересны эти курсы:

Курс повышения квалификации «Педагогическая риторика в условиях реализации ФГОС»
Курс повышения квалификации «Организация научно-исследовательской работы студентов в соответствии с требованиями ФГОС»
Курс повышения квалификации «Формирование компетенций межкультурной коммуникации в условиях реализации ФГОС»
Курс повышения квалификации «Этика делового общения»
Курс повышения квалификации «Организация практики студентов в соответствии с требованиями ФГОС медицинских направлений подготовки»
Курс повышения квалификации «Экономика: инструменты контроллинга»
Курс профессиональной переподготовки «Организация менеджмента в туризме»
Курс повышения квалификации «Страхование и актуарные расчеты»
Курс повышения квалификации «Использование активных методов обучения в ВУЗе в условиях реализации ФГОС»
Курс профессиональной переподготовки «Организация технической поддержки клиентов при установке и эксплуатации информационно-коммуникационных систем»
Курс повышения квалификации «Финансовые инструменты»
Курс профессиональной переподготовки «Теория и методика музейного дела и охраны исторических памятников»
Курс профессиональной переподготовки «Осуществление и координация продаж»
Курс повышения квалификации «Информационная этика и право»

Оставьте свой комментарий

Авторизуйтесь, чтобы задавать вопросы.

Репетиторы онлайн

✅ Подготовка к ЕГЭ/ГИА
✅ По школьным предметам

✅ На балансе занятий — 1

Подробнее